半导体制造工艺精品课件-第11章刻蚀技术.pptVIP

11.3.4 氮化硅的刻蚀 Si3N4的用途主要有两个： 一个是对硅晶片加工的初期，在已长有一层很薄的二氧化硅层的硅晶片上，以LPCVD法，加盖一层氮化硅。这层Si3N4将经过光刻与干刻蚀来转移光掩膜上的图案，以便以这层Si3N4来作为接下来场氧化层制作的屏蔽罩（Mask). 另一个用途，则是以PECVD法，来淀积作为元件保护层（Passivation)之用的氮化硅层。然后这层Si3N4将经过最后一道光刻和干刻蚀步骤，以便把元件的焊垫（Bonding Pads)裸露出来，以便最后元件测试与封装（Packaging)的进行。 采用二氧化硅刻蚀的方法刻蚀氮化硅。 氮化硅的刻蚀 1）刻蚀气体：CF4＋O2＋N2 2）刻蚀机理：物理和化学刻蚀，O2＋N2的作用是稀释F基的浓度降低对下层SiO2的刻蚀速率 刻蚀Si3N4的反应式： 在RF作用下工艺气体分解电离： CF4 ＋O2＋N2 ＋3e→ CF3 + ＋ CF3 ＋ F ＋O+＋N+ F活性基与Si3N4发生化学反应： 12F＋ Si3N4 → 3SiF4 ↑＋ 2N2↑ 11.3.5铝的刻蚀 1）刻蚀气体：Cl2＋BCl3＋CHF3 2）刻蚀机理：物理和化学刻蚀， BCl3主要用于刻蚀铝表面的Al2O3， CHF3主要用