半导体制造工艺精品课件-第4章 半导体的导电性.pptVIP

（3）光学波的散射 纵光学波：离子晶体中起决定作用的散射，晶体中正、负交叉的电荷区形成的电极化电场对电子产生强烈的散射作用，离子晶体中电子迁移率较小。 横光学波：不引起各种离子的密集，对电子无显著散射作用。 对极性半导体，长纵光学波有重要的散射作用. 在低温时不起作用，当温度较高，光学波散射概率增大。 (3)其它散射机构 等同能谷间散射：Si、Ge导带结构为多谷；电子与短波声子作用，f 散射和 g 散射。 中性杂质散射：低温下发生或重掺杂半导体，电离少，中性杂质较多。 位错散射：带电位错作为施、受主中心形成电场。 合金散射：混合晶体特有同族原子的随机排列。 载流子之间的散射：在载流子浓度很大情况下或强场作用下。 小结： 半导体中的散射机构是电离杂质散射和晶格振动散射，而晶格振动散射主要是以长纵光学波和长纵声学波为主。 散射作用的强弱用散射几率P来衡量。 电离杂质散射： ；长纵声学波： 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 1.平均自由时间 τ 与散射概率 P 的关系 τ：连续两次散射之间时间间隔的平均值 描述散射强弱有关 P：表示单位时间内一个载流子遭受散射的次数 与 的关系 N个电子以速度 沿某方向运动，在 时刻未遭到散射的电子数为