半导体制造工艺精品课件-第4章氧化工艺.pptVIP

* 气体分压对氧化速率的影响 氧化剂分压Pg是通过C*对B产生影响：B∝Pg * 硅衬底的晶向对氧化速率的影响 不同晶向的衬底单晶硅由于表面悬挂键密度不同，生长速率也呈现各向异性。 空间位阻 （Steric Hindrance） * 1200℃ 1100℃ 1000℃ 920℃ NB=4×1016/cm-3 NB=4×1019/cm-3 t(h) X0(μm) 掺硼衬底 掺杂情况对氧化速率的影响 * 1200℃ 1100℃ 1000℃ 920℃ NB=4×1016/cm-3 NB=4×1019/cm-3 t(h) X0(μm) 掺磷衬底 * 掺杂对氧化速率的影响 900 ?C时干氧氧化速率随表面磷浓度的变化 n＋：反应速率限制，B/A起主要作用，氧化速率取决于硅表面的掺杂浓度 * 卤族元素掺入对氧化速率影响 在氧化气氛中加入适量的卤族元素会改善氧化膜及其下面硅的特性。 氧化膜特性的改善包括钠离子浓度减少、介质击穿强度增加、界面态密度减少。 实践中应用较多的卤族元素是氯，在Si-SiO2界面上或界面附近，氯能使杂质转变成容易挥发的氯化物从而起到吸杂的效果，另外也能看到氧化诱生旋涡缺陷减少。 * 掺氯对氧化速率的影响 N型硅（100）和（111）晶面氧化速率常数与HCl浓度之间关系 （900℃，1000℃，1100℃） 随着MOS器件沟道长度不断减小为了抑制短沟道效应，减小亚