无机非金属材料的主角硅.pptVIP

1.载流子浓度 （1）固有电导（本征电导） 提供 载流子由晶体本身热缺陷—— 弗仑克尔缺陷 肖脱基缺陷 晶体的温度较高时，一些能量较高的的离子脱离格点形成“间隙离子”，或跑到晶体表面形成新的结点，原来的位置形成空位，从而破坏晶格的完整性，这种与温度有关的缺陷称之为晶体的热缺陷。 弗仑克尔缺陷：一定温度下，格点原子在平衡位置附近振动，其中某些原子能够获得较大的热运动能量，克服周围原子化学键束缚而挤入晶体原子间的空隙位置，形成间隙原子，原先所处的位置相应成为空位。这种间隙原子和空位成对出现的缺陷称为弗仑克尔缺陷。 肖特基缺陷：一定温度下、表面附近的原子A和B依靠热运动能量运动到外面新的一层格点位置上，而A和B处的空位由晶体内部原子逐次填充，从而在晶体内部形成空位，而表面则产生新原子层，结果是晶体内部产生空位但没有间隙原子，这种缺陷称为肖特基缺陷。 弗仑克尔缺陷——载流子浓度 nf——弗仑克尔缺陷提供的载流子浓度 N——单位体积内离子结点数 Ef——形成一个弗仑克尔缺陷所需能量 肖脱基缺陷——载流子浓度： ns——肖特级缺陷提供的载流子浓度 N——单位体积内离子结点数 Es——形成一个肖特级缺陷所需能量 （2）杂质电导 作为载流子的离子由杂质缺陷引起 杂质离子载流子