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0.?? 引 言
碲镉汞（Mercury Cadmium Telluride，HgCdTe）由II-VI 族半金属HgTe（Eg?= ?0.3 eV）和半导体CdTe（Eg?=1.5 eV）混合制备的赝二元直接带隙半导体材料[1-2]，通过调控Cd组分变化可以改变其敏感波段以至覆盖整个红外区间。HgCdTe拥有较高的吸收系数、高光电转化效率、高迁移率和与硅匹配的热膨胀系数，经历60多年的发展，HgCdTe已经成为整个红外探测材料体系中最重要的窄带隙材料[3-18]。目前，HgCdTe红外探测器已经发展了三代。但是，天文、遥感和民用设备等对探测器性能提出了更高的要求，多维信息感知、片上智能化、局
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