绪论、电力半导体器件基础及其使用相关技术.pptVIP

五. 电力电子器件的缓冲电路 (2) 关断缓冲 S由通态转为关断时：① 可能出现过大瞬时电压尖峰(回路中电感或杂散电感引起)以及过大di/dt (易使器件误通) ，对S造成电压损害；② 开关S 两端电压与流过S 的电流可能同时为最大，造成较大开通损耗，如图所示—— 需施加关断缓冲电路。 RL ＋ － S VCC uC iC COff RL ＋ － S VCC iC RL ＋ － S VCC iC COff ROff uC iC PC t COff较小 uC iC PC t COff较大 uC iC PC t DOff RL ＋ － S VCC iC COff ROff RCD型 DOff RL ＋ － S VCC iC COff ROff 放电阻止 型 抑制 du/dt 耗散 Coff能量 改善抑制 du/dt效果 Coff能量 释放给负载 2. 电力电子器件 (3) 复合缓冲 RL ＋ － S VCC iC Lon R D C 将开通缓冲与关断缓冲二者结合起来，可组成如图所示 的复合缓冲电路。 S开通时， Lon缓冲电流上升率，抑制di/dt。 S关断时，C经D旁路S，吸收关断时电路中的额外能量，防止关断瞬时电压尖峰对S造成损害。 S再开通时， C经R、Lon、S放电，为吸收S再次关断时的额外能量做好准备。 2. 馈能式(无损)缓冲电路 (1)馈能式开通缓冲电路 VCC RL ＋ － S iC Don DL * * 1:N 无源馈能式开通缓冲如图所示。缓冲电路接有匝数比1:N、同名端相反的变压器。S开通时， 变压器一次侧具有一定电感，起缓冲电感作用。 S关断时，变压器中的储存能量经Don回馈电源VCC。匝数比大小会影响电路工作：N越大，会降低 S的承受电压，回馈能量越快。但会使Don耐压水平提高，同时会使变压器铁芯恢复时间加大，反过来又影响能量回馈速度，使用中应综合考虑匝数比的大小设置。 无源馈能式 开通缓冲 五. 电力电子器件的缓冲电路 如图所示为有源馈能式开通缓冲电路，SMPS为开关电源电路。S关断时，Lon中的储存能量经D0转移给C0。SMPS 将C0上的较低电压转换为适合向电源回馈的较高电压。C0充电时间长短与S关断时流过Lon的电流大小有关，适当控制SMPS可使C0电压保持恒定，也可改变C0充电电流使Lon恢复时间维持恒定。 RL ＋ － S VCC iC Lon D0 C0 SMPS 有源馈能式 开通缓冲电路 (2)馈能式关断缓冲电路 无源馈能式关断缓冲如图所示。S关断时, Cs经Ds充电吸收能量。S开通时, Cs经L0、D0、C0 和S回路产生振荡，将Cs的储能转移给C0 ，极性如图中所示。 S再次关断时, Cs再次充电储能，C0经Dc向负载RL放电，使能量得到回馈。 电路参数设计的关键是：在S开通时段内，振荡回路足以保证将Cs的储能完全转移给C0。否则，Cs上形成的能量积累将严重影响Cs 在S关断时的吸收效果。 无源馈能式 关断缓冲电路 RL ＋ － S VCC iC L0 DL CS DC D0 DS C0 ＋ － － ＋ 2. 电力电子器件 有源馈能式关断缓冲电路 RL ＋ － S VCC iC L0 DL CS D0 DS C0 ＋ － － ＋ SMPS 如图所示为有源馈能式关断缓冲电路。 S关断时, Cs经Ds充电吸收能量。S开通时, Cs经 S 、C0 、L0 和D0回路产生振荡，将Cs的储能转移给C0 ，极性如图中所示。 SMPS 将C0上的较低电压转换为合适的电压向电源回馈或作他用。 与无源馈能式关断缓冲电路相类似，参数设计的关键是：在S开通时段内，振荡回路足以保证将Cs的储能完全转移给C0。 (2)无源馈能式复合缓冲电路 iC 无源馈能式 复合缓冲电路 RL ＋ － S VCC L0 DL CS DC D0 DS C0 ＋ － － ＋ 将无源馈能式开通缓冲与关断缓冲二者结合起来，可组成如图所示的复合缓冲电路。 L0在S开通时起抑制di/dt 作用，并且Cs经D0 、C0 、L0 和 S回路将Cs的储能转移给C0 。 S关断时， Cs经Ds充电吸收能量，并且C0 、L0 并联将存储能量经DC馈送给负载RL。 六. 电力电子器件的散热 2. 散热途径 器件流经电流→ 功耗→发热→结温升→器件特性变化(影响电路工作性能) 甚至器件永久性热损坏。散热直接影响器件使用寿命。 尤其功率器件→芯片面积大→温度分布不均，存在局部过热点→规定最高工作结温 ＞本征失效温度。散热影响器件额定电流使用(低温超导为例)。 硅器件为例: 一般商