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宽禁带半导体资料和工艺设计 宽禁带半导体资料和工艺设计 PAGE/NUMPAGES 宽禁带半导体资料和工艺设计 宽禁带半导体资料与工艺 1.1宽禁带半导体的见解和发展 宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体资料（Si）和第二代化合物 半导体资料（GaAs、GaP、InP等）今后发展起来的第三代半导体资料。这种 资料主要包含SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化镓、）AlN（氮 化铝）、ZnSe（硒化锌）以及金刚石等。 第二代半导体GaAs与Si比较除了禁带宽度增大外，其电子迁徙率与电子饱和速度分别是Si的6倍和2倍，所以其器件更合适高频工作。GaAs场效应管器件还拥有噪声低、效率高和线性度好的特色但比较第三代半导体GaN和SiC，它的热导率和击穿电场都不高，所以它的功率特色方面的表现不足。为了知足无 线通讯、雷达等应用对高频次、宽禁带、高效率、大功率器件的需要从二十世纪 九十年月初开始，化合物半导体电子器件的研究重心开始转向宽禁带半导体。 我们一般把禁带宽度大于2eV的半导体称为宽禁带半导体。宽禁带半导体 资料拥有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特色， 在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面拥有巨大的应用潜力。 1.2主要的宽禁带半导体资料 近来几年来，发展较好的宽禁带半导体资料主假如SiC和GaN，此中SiC的发 展更早一些，碳化硅、氮化镓、硅以及砷化镓的一些参数以以下列图所示： 图1-1半导体资料的重要参数 如上图所示，SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs，相应的本征载流 子浓度小于硅和砷化镓，宽禁带半导体的最高工作温度要高于第一、第二代半导 体资料。击穿场强和饱和热导率也远大于硅和砷化镓。 2.1SiC资料 纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不一样样，而 呈浅黄、绿、蓝以致黑色，透明度随其纯度不一样样而异。碳化硅晶体构造分为六方 或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。α-SiC因为其晶体构造 中碳和硅原子的堆垛序列不一样样而组成很多不一样样变体，已发现70余种。β-SiC于 2100℃以上时转变成α-SiC。 SiC是IV-IV族二元化合物半导体，也是周期表IV族元素中独一的一种固态 化合物。组成元素是Si和C，每种原子被四个异种原子所包围,形成四周体单元 (图25a)。原子间经过定向的强四周体SP3键(图25b)联合在一同，并有必然程 度的极化。SiC拥有很强的离子共价键，离子性对键合的贡献约占12%,决定了 它是一种联合坚固的构造。SiC拥有很高的德拜温度，达到1200-1430K,决定 了该资料关于各样外界作用的坚固性，在力学、化学方面有优胜的技术特色。它 的多型构造以以下列图： 图2-1碳化硅的多型构造 碳化硅因为化学性能坚固、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作 磨料用外，还有很多其余用途，比方：以特别工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶 轮或汽缸体的内壁，可提升其耐磨性而延伸使用寿命1～2倍；用以制成的高级 耐火资料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能见效好。低等级碳化硅（含 SiC约85%）是极好的脱氧剂，用它可加速炼钢速度，并便于控制化学成分， 提升钢的质量。其余，碳化硅还大批用于制作电热元件硅碳棒。 碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级）， 拥有优秀的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。 2.2GaN资料 GaN是一种极坚固，坚硬的高熔点资料，熔点约为1700℃。GaN拥有高 的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压下，GaN晶 体一般是六方纤锌矿构造。它在一个晶胞中有4个原子。因为其硬度高，又能够 作为优秀的涂层保护资料。 在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中溶解速度又特别缓 慢。可是NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐化质量差的GaN，这种方法可 以用来检测质量不高的GaN晶体。GaN在HCL或H2氛围高温下表现不坚固 特色，而在N2气下最为坚固。GaN基资料是直接跃迁型半导体资料,拥有优秀 的光学性能,可作出高效率的发光器件,GaN基LED的发光波长范围可从紫外到 绿色光 Ⅲ族氮化物主要包含GaN、ALN、InN、ALInN、GaInN、ALInN和ALGaInN 等，其禁带宽度覆盖了红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围。GaN是Ⅲ族氮化物中的基本资料，也是当前研究最多的Ⅲ族氮化物质料。GaN的电学性质是决定器件性能的主要要素。当前GaN的电子室温迁徙率能够达到900cm2/（V*s）。GaN资料所拥有的禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和速度高是制作高温、大 功率器件的最正确资料。 氮化物半导体资料存在六方纤锌矿和立方闪