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GaN制程设备简介;目录;化学站;蚀刻站;2.ICP(等离子蚀刻系统)
利用等离子体蚀刻出PN结的N电极.
蚀刻金属电极.
把光罩上的图形真正意义上的转化到晶片上.
;3.a-step(表面纵深测量仪)
测量PN结的高度差
;4.椭圆仪
对PECVD沉积SIO2/SINx的厚度进行监控.
量测PECVD沉积SIO2/SINx的折射指数.;黄光站;2.Aligner(曝光机)
利用光的能量对感光物质进行结构上的破坏.
;3.显影槽
把光罩上的图形经由光照后的感光物质显现出来.;4.电浆去光阻机
对光阻表面进行整理
残余光阻去除
金属表面整理
;蒸镀站;2.Furnace(炉管)
对透明导电极进行高温熔合,以增加透明电极的导电性以及欧姆接触.;3.穿透率量测仪器
量测透明导电极厚度
光的穿透率;研磨抛光;镭射切割;2.劈裂机
以雪崩劈裂方式把经过半切的晶片完全劈开分离;点测站;分类站
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