3.2 晶体管的开关特性公开课.pptVIP

* * 3.2 晶体管的开关特性 3.2.1 晶体二极管的开关特性 1. PN结的形成及PN结两边的少数载流子浓度分布 P N 半导体 本征半导体——载流子（空穴与自由电子） 掺杂半导体 P型半导体——多子（空穴），少子（自由电子） N型半导体——多子（自由电子），少子（空穴） + - D PN结（ 位垒? ） （1）PN结的形成 * * （2）PN结两边的少子浓度分布 ① 无外加偏置电压——Ui＝0 （零偏） JP扩 JN扩 JP漂 JN漂 动态平衡 + - D P N ID PN结 P区 N区 NP0 PN0 * * ② 外加正向偏置电压——Ui＝+V （正偏） + - D P N ID + - U 扩散区 PN结 P区 N区 NP0 PN0 NP(X) PN(X) x 特点：ID0——D导通 U?? ID ?? 扩散区? * * ③ 外加反向偏置电压——Ui＝-V （反偏） + - D P N ID - + U 特点：ID=-IS（反向漏电流）?0——D截至 U?? 位垒? PN结 P区 N区 NP0 PN0 NP(X) PN(X) x 小结：二极管特性——正向导通，反向截止——单向导电——开关 * * 2. 二极管的稳态开关特性 （1）理想开关特性 R K UK IK + -+ + - VI K闭合时：RK=0，IK=VI/R，UK=0 K断开时：RK=∞ ，IK=0，UK=VI R D UD ID + -+ + - VI D正偏时：RD=0，ID=VI/R，UD=0——相当开关闭合 （2）二极管的理想开关特性 * * R D UD ID + -+ - + VI D反偏时：RD=∞ ，ID=0，UD=VI——相当开关断开 （3）实际二极管的开关特性（伏安特性） ID/mA UD/V 0 VD 锗 硅 VZ IS 特性：① UD?0（反偏和零偏）时D截止； ② UD?VD（开启电压）时D导通，D导通时UD=VD——钳位作用 ； VD(锗)=0.1～ 0.3V; VD(硅)=0.5～ 0.7V（0.7V） * * 3. 二极管的瞬态开关特性 （1）理想特性 R D UD ID + -+ + - VI VI t 0 V+ V- UD t 0 ID t 0 tr tf （2）实际特性 （3）开关时间 ① 正向导通时间ton= tr ② 反向截止时间tOFF= tf 因素：PN结电容——位垒电容和扩散电容 * * 3.2.2 晶体三极管的开关特性 1. 晶体三极管的稳态开关特性 IC VCE 0 VCC/RC VCC 放大区 饱和区 截止区 （1）截止区——条件：VBE??0；特点：IB=IC=IE≈ 0，VO=VCC + - VI VO + - RB RC IC IB IE B C E T VCC +12V （2）放大区——条件：VBE??VD(0.7V),VBC0； 特点：IC = ? ×IB，VO=VCC-IC×RC VI VO RC VCC * * （3）饱和区——条件：VBE??VD(0.7V),VBC0； 特点：IB?IBS=(VCC-VCES)/?RC，VO=VCES=0.3V 工作区 可靠条件 工程近似 特点 等效电路 截止区 VBE ?0 VBC0 VBE 0.7V VBC0 IB=IC=IE≈ 0 VO=VCC 放大区 VBE 0 VBC0 VBE ? 0.7V VBC0 IC = ? xIB VO=VCC-ICxRC 饱和区 VBE ? 0.7V VBC0 IB?IBS=(VCC-VCES)/ ? RC IC=ICS VO=VCES =0.3V B C E B C E + VBE - + VCES - 0.7V 0.3V B C E + VBE - IC= ? xIB 0.7V * * 【例3.1】分析下图所示的三极管开关电路，已知RC=1k，VCC=12V，β=60。在下列条件下计算IB，IC及VO，并确定三极管T的工作状态。 ① 当Vi=-3V时； ② 当Vi=+3V，RB=20k?时； ③ 当Vi=+3V，RB=10k?时。 + - VI VO + - RB RC IC IB IE B C E T VCC +12V 2. 三极管开关电路的分析方法 ①进行假设； ②分析估算； ③比较检查；④ 写出结果 解：① 当Vi=-3V时T截止，IB≈IC≈IE≈0，VO=VCC=12V； * * + - VI VO + - RB RC IC IB IE B C E T VCC +12V ② 当Vi=+3V，RB=20k?时，假设T导通，则VBE=0.7V 因为IB＜IBS，所以T工作在放大区 IC=?xIB=60×0.115=6.9mA VO=VCC－IC×RC