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Im 13 1(Imsinat)2d(
Im 13 1
(Imsinat)2d(wt) = +——r 0.4767Im
2 \4 2 兀
4
1 Im
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I -兀正 2 2
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1
莒 0-6741Im
1 r力 1
——J 2 Im d (①t) = — Im
I = 2 兀 0 4
d3
I = } 2 兀
3
2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I、1、
dl d2 七各为多少?这时,相应的电流最大值I「I、I 3各为多少?
结果知
T(AV)
I
R
r 329.35
a)
I 0.4767
A,
m1
I
r
r 232.90A,
b)
I 0.6741
m2
I r
d2
d3解:额定电流L_=100A的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算
0.54341 浇 126.56A
m 2
电力电子技术答案(第五版)
2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受
高压和大电流的能力?答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有
效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺 杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N区就可 以承受很高的电压而不被击穿。
2-2-使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电
压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK0且uGK〉0。
2-3.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸 管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。
2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大 值均为I,试计算各波形的电流平均值I、I、I与电流有效值I、I、I。
TOC \o 1-5 \h \z d1 d2 d3 1 2 3
1 Im 2
一 J: Imsin(①t) = (— +1) r 0.2717Im
解:a) \o Current Document I - 2兀4 2兀 2
解:a)
Id1=兀
丑 1
2 Im2 d (皿)=—Im
0 2
1
I = 78.5
c) I =2I=314 I =4 m3
m3 d3
2一6 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不 能?答:GTO和普通晶阐管同为PNPN结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管 V1、V2,分别具有共基极电流增益a 1和a2,由普通晶阐管的分析可得,a1+a2 = 1 是器件临界导通的条件。a1+a21两个等效晶体管过饱和而导通;a1+a21 不能维持饱和导通而关断。
GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GT0与普通晶闸管 在设计和工艺方面有以下几点不同: 1)GTO在设计时a2较大,这样晶体管
V2控制灵敏,易于GTO关断; 2)GTO导通时a1+a2的更接近于1,普通
晶闸管a1+a2 1.5,而GT0则为a1+a2 ?1.05,GTO的饱和程度不深,接近于临 界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件; 3)多元集成结构使每个
GTO元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2极区所谓的横向电 阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
2-7与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得它具有耐受 高电压电流的能力?答1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面 积增大,显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂 浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材
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