《模拟集成电路设计》习题和答案.docVIP

第2章习题 2.1 已知pn结的反向饱和电流，求在室温（°K）下，当V和V时的pn结电流。 参考答案：当=0.7V 时，pn结为正偏置，因此 当=-0.7V时，pn结为反偏置，因此 尽管很小，只要pn结上加很小的正偏压，就可产生适当的结电流。加反偏压时，结电流几乎为0。 在图2.68所示电路中，假定所有二极管均为理想二极管（忽略二极管的正向导通压降），电源电压=3V，限流电阻R=4.7k?，两个输入信号Vi1和Vi2取值为0V或3V。试分析当Vi1和Vi2在不同取值的组合情况下，电路输出电压V0之值，并分析输入与输出信号之间的逻辑关系。 图2.68 参考答案： 输入与输出信号之间的逻辑关系为：2输入与门关系。 图2.68所示电路的输入-输出真值表 Vi1 Vi2 二极管工作状态 V0 D1 D2 0 V 0 V 导通 导通 0 V 0 V 3 V 导通 截止 0 V 3 V 0 V 截止 导通 0 V 3 V 3 V 截止 截止 5 V 2.3 在图2.69所示电路中，假定所有二极管均为理想二极管（忽略二极管的正向导通压降），判断D1和D2是否导通，并求出V0的值。 图2.69 参考答案： 设D1、D2截止，则VA=9V，VB=3V，VC=8V，因此，初步判定D1导通，D2导通，但是由于D1导通时VB=9V，此时D2不可能导通。最后确定D1导通，D2截止，V0=8V。 2.4 图2.70所示为三个晶体管的直流偏置电路，计算并判断晶体管的工作状态（设VBE=0.7V）。若不在线性放大区，如何调整偏置电阻使其工作在线性放大区？ 图2.70 参考答案：（a）因偏置电路的电源为-6V，使发射结两端加有电压，所以管子处于截止状态，即发射结、集电结均反偏。要使放大电路正常放大，应将偏置电路的负电源改为正电源，调整R1，R2使发射结正偏，集电结反偏即可。 （b） VCE是负值，说明管子工作在饱和区。要退出饱和区进入线性放大区，应增大Rb，即减小IB的值。 （c）算法与上相同。 ，， 说明集电结已经近似为零偏置（），管子处于临界饱和，不能正常放大。应增大Rb使管子进入线性放大区。 2.5 设晶体管的共射极电流放大系数，基极电流，晶体管工作在线性放大区。试求出集电极电流、发射极电流和共基极电流放大系数。 参考答案：集电极和基极电流之间的关系为 发射极和基极电流之间的关系为 共基极电流放大系数为 2.6 图2.71为共射极放大电路，参数如图中所示。已知，晶体管的厄尔利电压V，热电压V，C1和C2是输入和输出信号的耦合电容。请近似估算电路的直流工作点Q（即IC 和VCE），并计算该共射极放大器的低频电压增益（忽略寄生电容和耦合电容，设VBE=0.7V）。 图2.71 参考答案： (1)由于电容的“隔直”作用，对于静态偏置电路，它们相当于开路。因此，计算Q点时只需考虑由VDD、Rb、Rc和晶体管组成的直流通路就可以了。对于硅晶体管，VBE 约为0.7V左右，所以 ，因此，， (2) 低频小信号模型如下图所示，其中忽略了寄生电容和信号耦合电容。 ，其中， ， 根据公式(2.29), ， 根据公式(2.30), 所以， 2.7 假定晶体管工作在线性放大区，饱和电流=10-16A，=0.75V，=3pF，=6pF，热电压V。不考虑厄尔利效应，求晶体管的单位增益频率。 参考答案： 由公式(2.14)得（不考虑厄尔利效应）， 由公式(2.25)得， 由公式(2.45)得， 2.8 假定晶体管的保持不变，已知当=1V时，=1。求当=10V时，在以下厄尔利电压的条件下相应的值：(a) =75V，(b) =150V。 参考答案：理解的意义，作图可容易得到结论：(a) IC=1.12mA，(b) IC=1.06mA 2.9 已知CMOS管的宽长比=50/0.5μm，漏极电流0.5mA，分别计算NMOS和PMOS的跨导和输出电阻，以及的值。假设A/V2，A/V2，V-1。 参考答案： ， 2.10 对于NMOS管，推导出用漏极电流和宽长比表示的的表达式，并画出以为参数的与之间的关系曲线。 参考答案：，； 假设，则，其中k为常量。 2.11 一个工作在线性区的NMOS管，=0.1V。当 =2V时，=40μA；当=3V时，=80μA。求： 阈值电压。 如果=40μA/V2，则的值是多少？ 如果=2.5V，=0.15V，则漏极电流为多大？ 如果=2.5V，为多大时NMOS管的导电沟道开始夹断？此时的漏极电流为多大？ 参考答案： 1）NMOS管工作在线性区，有：。 分别将=0.1V，当 =2V时，=40uA；当=3V时，=80uA代入上式有： 两式相除可得：，可知0.95V。 2）如果=40μA/V2，则，可得W/L=10。 3）