第2章 结型光电探测器电子课件 高教版 中职 光电子器件(第3版).ppt

2.4 光电三极管 2.4.1 光电三极管结构和工作原理 光电三极管的结构及简化原理图及符号 光电三极管是在光电二极管基础上发展起来的。目前用得较多的两种是PNP和NPN型平面硅光电三极管，称PNP型为3CU，NPN型为3DU型光电三极管。 I c= I e =(1+β)I p β——电流放大倍数， Ip——所对应的光电二极管的电流。 原理： 2.4.2 光电三极管的主要性能参数 1．光照特性 光电三极管的光照特性 光电达林顿管的结构 2．伏安特性 图2-51 光电三极管的光照特性 有两个特点： 在照度低时比较均匀，而随照度增加曲线变密，这是因为电流放大倍数β与光照强度有关，随光 照度E增加，β下降，导致电流I下降，在强光照射下，光电流与照度不呈线性。 工作电压低时，光电三极管的集电极电流与照度呈非线性，为了避免电压对线性的影响，光电三极管工作电压尽可能高些。 3．温度特性 光电三极管的温度特性 （a） 光电流 (b) 暗电流 4．频率特性 光电三极管的频率特性 光电三极管的频率特性与结的结构，负载及结电容有关。 一般的光电三极管为了得到较大的信号电流，增大吸收光敏面积，集电结做得较大，因此电容Cbc较大，使它的频率特性比光电二极管的要差。 在Uce=10V，f=1kHz时，它的结电容Cj约几pF。响应时间与负载有关系，在Uce=10V时，RL=100Ω，响应时间=10μs，频带宽度 约105Hz，随负载电阻增加，频率特性变差， 光电耦合器的控制电路 南京理工大学 汪贵华 2020.10 在一般情况下，电流的散粒噪声都比电阻的热噪声大，如果只考虑电流的散粒噪声时，则： 噪声等效功率（NEP）为： 2.3.2 PIN型光电二极管1．PIN硅光电二极管 PIN（p-i-n）硅光电二极管是一种常用的耗尽层光电二极管，通过适当选择耗尽层的厚度，可获得较大的输出电流，较高的灵敏度和较好的频率响应特性，频率带宽可达10GHz，适用于快速探测的场合。 图2-32 PIN硅光电二极管结构与所加电压 PIN光电二极管结构示意图（a）和反偏能带图（b） Pr PIN型光电二极管光电流： 光谱电流响应率： 有效光谱量子效率： 1. 输出的光生电流较大，灵敏度有所提高。 时间响应特性主要取决于结电容、载流子渡越耗尽层所需要的时间,扩散运动的速度 PIN光电二极管，由于结电容小 2. 时间响应快,频率特性好! 扩散运动被抑制. 时间特性好，频带宽度可达10GHz。 载流子渡越耗尽层时间短; 一般来说，扩散运动的速度比漂移运动的速度低得多，它将影响探测器的响应速度。 例如，在PN结区强电场的作用下作漂移运动，载流子通过10μm的距离，其渡越时间小于0.1ns; 但在PN结外作扩散运动时，同样经过10μm的距离，需要的时间则长达40ns。 为了提高探测器的响应速度，故尽量希望光的吸收或光生载流子对的产生发生在PN结的耗尽层内。PIN管的光吸收主要在耗尽层区，所以频率特性好! 3. 硅材料制成的PIN管，长波段响应到1.1μm的短波段包括1.06μm的激光，可用于激光测距、激光制导等许多方面。 2．长波长光电二极管 为探测1.3μm及更长波段的光通讯的激光，通常将1.2~1.7μm的光波探测器叫长波长探测器。 目前主要用III-V族化合物半导体材料来制作长波长光电探测器。如用InP—InGaAs—InP材料制成的响应在1.3μm的光电探测器。 InP的禁带宽度为1.35eV，InxGa1-xAs的禁带宽度0.7eV，InP对波长大于0.9μm的光透明，光吸收作用主要在InGaAs层，形成PIN，光谱响应可达1.7μm， 这样该器件的光谱响应范围为0.9-1.7μm，广泛应用于光通讯的光探测。 长波长PIN管的优点是： (1) 工作电压比较低，一般为5V； (2) 探测灵敏度比较高，为0.8mA/mW，使用InGaAs-PIN管可用于1Gb/s的光纤通信系统中，其接收灵敏度可达-90dBm； (3) 内量子效率较高，内量子效率90%以上； (4) 响应速度快，1Gb/s以上； (5) 可靠性高，上万小时后没有发现明显退化现象； (6) PIN管能低噪声工作。 还有四元系InGaAsP、AlGaAsP等材料分别与InP（0.9-1.7μm）、GaSb（0.75-1.9μm）晶格匹配形成长波长的光电探测器，其探测光谱范围更宽，用于光通讯中光的探测。