第3章_光电阴极和光电倍增管电子课件 高教版 中职 光电子器件(第3版).ppt

(6) 其它原因 放射性同位素和宇宙射线激发或衰变产生光子作用于阴极而产生附加的光电子。 在极间电压较低时：50V/级时，暗电流实际上是各电极间的漏电流； 50V/级~110V/级时，光电阴极和第一倍增极的热电子发射电流经过倍增放大后，成为暗电流的主要部分，这个范围恰巧是光电倍增管的工作范围。 当电压继续升高时，就出现了离子反馈、光反馈现象，场致发射也可能出现，因此引起了暗电流急剧增加，最后导致管内自持放电。 图3-26 暗电流分量与极间电压的关系 1—经过放大后的热发射电极；2—漏电流；3—暗电流的总和；4—不稳定状态的区域 表示光电倍增管暗电流的另一种方法是阳极暗电流的等效输入EADCI(Equivalent Anode-Dark-Current Input) 典型的阳极暗电流和EADCI EADCI曲线最小值对应于阳极灵敏度最大而暗电流最小，此处电压就是光电倍增管的最佳工作区域。 7．噪声和灵敏阈 噪声的存在决定了光电倍增管可探测的交流光通量的最小值，这个可探测的交流光能量最小值，称为光电倍增管的灵敏阈(灵敏限)，探测极限或噪声等效功率。 光电倍增管的噪声来源有三种： （1）外界干扰：如外界电磁场、背景漏光、电源不稳定等； （2）结构和工艺的不完善，如电极尖端的自由电子发射、剩余气体电离等； （3）电子过程的统计性质，如阴极光电发射的随机性、倍增极二次电子发射的随机性所引起的散粒噪声和负载电阻的热噪声等。 若精心制造并正确使用光电倍增管时，前两种噪声来源基本上可以消除，后一种则是光电倍增管中的主要噪声。 1） 光电阴极上的散粒噪声 I k= Is+Ib+Id 散粒噪声电流均方值 2） 倍增系统引起的噪声电流 光电阴极上，由光信号引起的电流为光电流Is，由背景辐射引起的为背景电流Ib，由热发射引起的为暗电流Id，于是光电阴极发出的电流Ik： ——表示倍增系统所引入的散粒效应噪声的贡献。 =B+1 3）热噪声 4） 总的噪声电流 当RL104~105 ，实际起作用的是经过倍增的散粒噪声。 信噪比： 噪声等效辐射通量(NEI)是用来表示光电倍增管可探测的最小辐射通量 在测量接近光电倍增管灵敏阈的辐射能量时，暗电流Id已是阴极电流Ik的主要成份Ik=Id, 暗电流经倍增后在阳极上的电流Iad=IdG，所以有： 3.4.3 光电倍增管的供电电路 1. 分压电阻的确定 光电倍增管工作电压的选取要保证伏安特性曲线工作在线性范围内，一般总电压Uak在700~2000V之间，极间电压VD在80V~150V之间。 电流放大倍数稳定度与极间电压稳定度关系： Ag-Mg打拿极： 由此可知，极间电压VD的变化将严重影响电流放大倍数G的变化。假设n=10，极间电压的稳定度为1%，则电流放大倍数的稳定度对CsSb为7%，对Ag-Mg为10%。 对CsSb打拿极： 当光电倍增管工作时，随电流信号Ia增加，其内阻变小。阳极与阴极的电压为 ，内阻= ， 即当电流信号增加时将导致流过分压电阻的电流减小，特别是最后几级电流较大，对分压电阻链有分流作用，引起极间电压变小，造成放大倍数下降和光电线性特性变坏。 为了尽量减小光电倍增管的内阻变化对电阻链的分流作用，则要求分压电阻取得适当小，以保证流过电阻链的电流IR较最大阳极电流Iam大得多，这样可将分压电阻链供电电路看作恒压系统。 通常要求IR≥20Iam，IR为回路的电流，设n是倍增系统得级数，那么各级的电阻为R： Iam为阳极输出的最大电流。 Iin—阴极输出电子流； Iout—阳极输出电子流； ID—输入端传导电子流； Ie—输出端传导电子流。 IR也不能取得太大，否则分压电阻链功耗增大。因此，当极间电压已经给定时，分压电阻的最大值取决于最大阳极电流值，而分压电阻的最小值则取决于供电电源功率，通常取极间分压电阻值R为20kΩ~1MΩ。 2．分压电容 在光脉冲入射时，最后几级打拿极的瞬间电流很大，使最后几级分压电阻上的压降有明显的突变，导致阳极电流过早饱和，使光电倍增管灵敏度下降。 为此，常在最后三级电阻上并联旁路电容C1，C2和C3，使电阻链上的分压基本保持不变。 电容作为储能元件，当电压降低时，通过电容C放电来维持分压电阻上电压不变。通常并联电容器的数值为0.002μF -0.05μF。 3．稳压电源 电源稳定度对不同类型的光电倍增管有不同的要求。 在一般比较精密测量时，通常要求电源电压稳定度为 0.01~0.05%。 光电倍增管高压电源一般有两种接法： 一种是正高压接法，即在阳极接正高压，这种接法阳极信号输出必须通过耐高压、噪声小的隔直电容