碳化硅外延层载流子浓度测定—非接触电容电压法.pdfVIP

T/IAWBS XXX—XXXX 碳化硅外延层载流子浓度测定非接触电容-电压法 1 范围 本文件规定了非接触电容-电压法测试碳化硅外延层载流子浓度的方法。 14 -3 本文件适用于4H 碳化硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为 1×10 cm ～1×10 18 -3 cm 。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期 的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本 （包括 所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 30656 碳化硅单晶抛光片 3 术语和定义 GB/T 14264 确立的术语和定义适用于本文件。 4 原理 非接触电容电压法主要是通过电晕放电在表面喷洒电荷来给表面施加偏置电压，形成耗 尽层，电晕电荷偏压Q 产生宽度为W 的空间电荷区。空间电荷区的势垒电容 （C）及其电 C 压 （V）的变化率与势垒扩展宽度 （W）及其相应的载流子浓度N (W)有如式 （1）和式 （2） D 2 1 N (W) · （1） D 1 sƐo )/ 2 C ΔQc （2） ΔVCPD 式中： -3 N (W)——载流子浓度，单位为每立方厘米 （cm ）； D -19 q：电子电荷，1.602×10 ，单位为库仑 （C）； Ɛo -14 : 真空介电常数，其值为8.859×10 ，单位为法每厘米 （F/cm）； 1 T/IAWBS XXX—XXXX Ɛs：相对介电常数，其值为11.75； C：势垒电容，单位为法 （F）; W——势垒扩展宽度，单位为厘米 （cm）： 图1 测试示意图 5 干扰因素 5.1 样品制备、测试仪器操作、测试机台维护后的调试、衬底是否导电，均对测试 结果的准确性与稳定性有很大影响，相关的测试人员应经过严格的培训； 5.2 样品表面的沾污，会影响样品表面的状态，造成测试误差； 5.3 样品可能表面带有静电，造成测量误差； 5.4 用于校准仪器的质量监控片应定期校准； 6 仪器设备 6.1 非接触电容-电压测试