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半导体物理与器件实验 实验1 实验2 实验3 实验4 实验5 实验6 实验7 实验1：四探针测试半导体电阻率 实验目的 掌握四探针法测量半导体材料方阻的基本原理和方法 掌握半导体电阻率的测量方法 实验设备： RTS-8型四探针测试仪 三、实验原理： ①体电阻率测量：当1、2、3、4根金属探针排成直线时，并以一定的压力压在半导体材料上，在1、4两处探针间通过电流I，则2、3探针间产生电位差V。（1）式中C为探针系数，由探针几何位置决定。当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无限大条件时 图 1 四探针测量原理图 （2）式中：S 1、S 2、S 3分别为探针1与2，2与3，3与4之间的间距。探头系数由制造厂对探针间距进 行测定后确定，并提供给用户。每个探头都有自己的系数，C≈6.28±0.05，单位为cm 。 当 S 1=S 2=S 3=1 mm 时，C=2π。若电流取 I = C 时，则ρ= V 可由数字电压表直接读出。 (a)块状和棒状样品体电阻率测量 由于块状和棒状样品外形尺寸也探针间距比较，合乎与半无限大的边界条件，电阻率值 可以直接由（1），（2）式求出。 (b)薄片电阻率测量 薄片样品因为其厚度与探针间距比较，不能忽略，测量时要提供样品的厚度、形状和测 量位的修正系数。 四、实验步骤： 注意事项： 注意事项： 五、实验数据处理及结果分析 位置(点) X Y 电阻率+ 电