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衬底温度和后退火温度对ATO薄膜结构和光电性能的影响
摘 要
ATO薄膜(SnO2:Sb薄膜)作为一种透明导电薄膜已被广泛研究， 但有关衬底温度和退火温度对其性能的影响的 研究还不是很多。在本工作中，用射频磁控溅射法制备不同衬底温度的ATO薄膜，XRD图谱表明晶粒均沿(110)方向 择优生长。XPS图谱表明较高的衬底温度下，薄膜中Sn4+和Sb5+浓度增大。拉曼图谱显示了ATO薄膜典型的振动模式 B1g和Eg。衬底温度为300℃和400℃的薄膜电性能较好，但透光性随着衬底温度升高明显下降，曲线吸收边产生蓝移 现象。经不同温度空气退火后，薄膜结构和光电性能都有所改变。由XRD、 XPS以
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