复合发光衰减动力学.docVIP

7.4复合发光衰减动力学 一般来说，假如资料的带隙不是很宽，温度不是很低，在热均衡条件下，材 猜中总会有一些热均衡的自由载子。外界激发使得资料有了额外的载子，称为过 剩载子。在没有外界激发的条件下，这些节余载子将经过复合跃迁逐渐消逝，材 猜中的载子数将趋于热均衡值。 导带电子和价带空穴的复合，可以经过带间光跃迁，也可以经过带隙中的杂质缺点能级发生辐射或无辐射的跃迁。 平时，导带电子和价带空穴分别达到准均衡状态的过程比它们的复合快得 多，可以以为在发光过程中，每个载子在相应能带中处于不一样能态的 几率分布达到了准热均衡。在这条件下，如(3.5-2)式自觉辐射项所示， 2 e2 Wem 2V me2 2dk 2 3 vk pckgcEckgvEvk v,cBZ 2 Ec k Ev k 此中，gcEck和gvEvk此刻就是电子和空穴的热均衡几率分布。相应地， 每个导带电子与每个价带空穴总的复合发光跃迁速率BWemd（统 计均匀）与详尽是哪个状态的电子或空穴没关。对给定的资料，它只与温度相关。近似地，因为这些自由载子可以在晶体中自由运动，也许说，这些导带电子 /或价带空穴的波函数展布在整个晶体内，因此每个电子（或空穴）也可以跃迁到全部局域的杂质能级。而且跃迁到同类局域中心的速率相同。 也就是说，每个载子在复合过程中的统计行为都相同。于是，对 资猜中上述每一类跃迁过程，总的跃迁速率的大小与跃迁涉及的电 子与空穴，或电子（空穴）与局域中心两者的密度成比率。 套用化学反应中的用语，这样的过程是双分子过程。 与分立中心情况对比，复合发光拥有不一样的动向行为。下边先对理想晶体带间复合作一简单谈论，以显示其“双分子”过程的特色。 我们临时限于谈论热均衡载子数目极少，可以忽视不计的情况。 处在光学激发态的理想晶体，其导带电子密度n（或总数）等于价带空穴 密度p，即np。导带电子与价带空穴总的复合速率R，即单位时间 里的复合次数，与两者的密度成正比，比率常数B称之为双分子复合系数。因为这样的复合，导带电子或价带空穴密度随之减小。对这一简单的系统，在没有外界激发的情况，其速率方程以下： R dn dp BnpBn2 7.4-1 ( dt dt ) 假设初始条件为n(t 0) n0，方程的解为 n0 n(t) (7.4-2) 1n0Bt 相应地，发光的衰减规律为 J dn(t) Bn2 Bn02 2J0 1 2 (7.4-3) dt (1n0Bt) (1at) 这类双曲线形式的衰减是双分子过程特色性的荧光衰减规律，不 同于前面谈论的孤立中心系中典型的指数衰减规律。对双曲线形式的衰减，也有 一个特色参数  1a=1n0B，可以用来表征衰减的快慢。当t  时，发光 衰减到初始强度的  1/4。但这里的  不是常数，其大小依赖初始条件（  n0）。 对载子到局域中心的复合发光，也可以作近似的谈论。 在第四章中，我们已谈论过载子与各种杂质或缺点能级间的跃迁。  自由载子 可以经过局域的杂质能级复合发光，或经过另一些局域能级被猝灭（发热）； 也可以被一些称之为圈套的杂质中心（它们在帶隙中形成局域的亚稳能级）俘获，并在必定条件下又会从那处开释出来；载子的俘获，开释及其在晶体中的运动又 是激发能输运的门路。这些过程的存在使得整个激发态过程变得丰富多样。这里有两个核心问题，一是圈套的作用，我们将以电子圈套为例予以说明；另一个是激发能在不一样中心间的转移，我们将以空穴的迁徙作为例子。 7.4.1.存在电子圈套时的荧光衰减动力学 电子圈套是禁带中距导带底一 定能量间隔的局域能级，处在这类能级上的电子往价带的跃迁速率很小，也即  N AP 这样的能级是亚稳能级。这类情况有  A0 n 点近似三能级分立中心中的中间能级为亚稳态的情况。但是，此刻的情况，过程不再局域在中心内部，而是与大批共有化的载子相关。为了便于说明圈套对动力学过程的影响，我们考虑一种理想的典型状况。假设资猜中有一种发光  n+ 7.4-1电子圈套对荧光过程的影响。图中示出了相关的跃迁过程。 中心，数目为，和一种圈套（数目 ），圈套能级距导带底的能量间隔（即圈套深度）为E。如图（7.4-1）所示。 这里暂不考虑空穴的运动，因此涉及的跃迁为导带电子到发光中心的跃迁， 导带电子被圈套俘获，以及圈套电子开释到导带三种过程。图顶用箭头示出了有 关的跃迁，箭头旁列出了相应跃迁速率常数（分别为A0，A和P）。设导带电子 数为N，发光中心被空穴据有数为 n+，圈套中的电子数为Pn。可以列出联系 上述三过程的速率方程组： dn n) （7.4-4） PnAN( dt dn A0Nn （7.4-5） dt dN （7.4-6） A0NnPnAN(n) dt 上边第一个方程，左侧是圈套中心数随时间的变化速率，右