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微电子工艺基础光刻工艺会计学第1页/共152页第8章 光刻工艺本章目标：1、熟悉光刻工艺的流程2、能够区别正胶和负胶3、了解对准和曝光的光学方法4、解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点第2页/共152页第8章 光刻工艺一、概述二、光刻胶三、曝光、显影阶段四、刻蚀、去胶阶段第3页/共152页第8章 光刻工艺一、概述 1、光刻的定义 2、光刻的目的 3、光刻的目标 4、光刻工艺步骤概述第4页/共152页第8章光刻工艺 一、概述1、光刻的定义光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄膜上制备图形的精密表面工艺技术。英文术语是Photolithography(照相平板)，Photomasking（光掩模）等。第5页/共152页第8章光刻工艺 一、概述2、光刻的目的光刻的目的就是：在介质薄膜（二氧化硅、氮化硅、多晶硅等）、金属薄膜或金属合金薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。第6页/共152页第8章光刻工艺 一、概述3、光刻的目标（教材P130最上部分）（1）尽可能接近特征图形尺寸。（2）在晶圆表面正确定位图形（称为Alignment或者Registration），包括套刻准确。第7页/共152页第8章光刻工艺 一、概述4、光刻工艺步骤概述（**）光刻蚀工艺:首先是在掩膜版上形成所需的图形；之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶圆表面的每一层。（P130倒数第二段）第8页/共152页第8章光刻工艺 一、概述4、光刻工艺步骤概述（**）（1）图形转移的两个阶段 ① 图形转移到光刻胶层第9页/共152页第8章光刻工艺 一、概述4、光刻工艺步骤概述（**）（1）图形转移的两个阶段 ② 图形从光刻胶层转移到晶圆层第10页/共152页4、光刻工艺步骤概述（**） （2）十步法第8章 光刻工艺一、概述第11页/共152页第8章 光刻工艺二、光刻胶 1、光刻胶的组成、分类 2、光刻胶的参数 3、正负胶比较 4、电子抗蚀剂 5、X-射线抗蚀剂第12页/共152页第8章光刻工艺 二、光刻胶1、光刻胶的组成、分类光刻时接受图像的介质称为光刻胶，以光刻胶构成的图形作为掩膜对薄膜进行腐蚀，图形就转移到晶片表面的薄膜上了，所以也将光刻胶称为抗蚀剂。（1）光刻胶的分类A. 光学光刻胶（主要是紫外线）B. 电子抗蚀剂C. X-射线抗蚀剂① 根据曝光源和用途第13页/共152页第8章光刻工艺 二、光刻胶1、光刻胶的组成、分类A. 正胶B. 负胶（1）光刻胶的分类② 根据胶的极性正胶：胶的曝光区在显影中除去。正胶曝光时发生光分解反应变成可溶的。使用这种光刻胶时，能够得到与掩膜版遮光图案相同的图形，故称之为正胶。负胶：胶的曝光区在显影中保留，用的较多。具体说来负胶在曝光前对某些有机溶剂（丙酮、丁酮、环己酮）是可溶的，而曝光后发生光聚合反应变成不可溶的。使用这种光刻胶时，能够得到与掩膜版遮光图案相反的图形，故称之为负胶。第14页/共152页第8章光刻工艺 二、光刻胶1、光刻胶的组成、分类（2）光刻胶的组成光刻胶里面有4种基本成分：（参见教材P135）① 聚合物 光刻胶中对光和能量敏感的物质；② 溶剂 其作用是使胶具有一定的粘度，能均匀涂覆；③ 光敏剂 有时也称为增感剂；④ 添加剂 达到特定效果；第15页/共152页第8章光刻工艺 二、光刻胶2、光刻胶的参数（1）感光度用于表征光刻胶感光性能的。第16页/共152页第8章光刻工艺 二、光刻胶2、光刻胶的参数（2）分辨率指用某种光刻胶光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。它是表征光刻精度或清晰度能力的标志之一。分辨率通常以每毫米内能刻蚀出可分辨的最多线条数目来表示。通常正胶的分辨率高于负胶。第17页/共152页第8章光刻工艺 二、光刻胶2、光刻胶的参数（3）抗蚀性在湿法刻蚀中，要求光刻胶能较长时间的经受酸、碱的浸蚀；在干法刻蚀中，要求光刻胶能较长时间的经受等离子体的作用。第18页/共152页第8章光刻工艺 二、光刻胶2、光刻胶的参数（4）粘附性光刻胶与衬底（二氧化硅、金属等）之间粘附的牢固程度直接影响到光刻的质量。第19页/共152页第8章光刻工艺 二、光刻胶2、光刻胶的参数（5）针孔密度单位面积上针孔数目称为针孔密度。光刻胶膜上的针孔在刻蚀过程中会传递到衬底上，危害极大。光刻胶层越薄，针孔越多，但太厚了又降低光刻胶的分辨率。第20页/共152页第8章光刻工艺 二、光刻胶2、光刻胶的参数（6）留膜率留膜率是指曝光显影后的非溶性胶膜厚度与曝光前的胶膜厚度之比。刻蚀时起掩蔽作用的是显影后非溶性的胶膜，所以希望光刻胶的留膜率越高越好。第21页/共152页第8章光刻工艺 二、光刻胶3、正、负胶的比较（1）正、负胶和掩膜版极性的结合（参见教材P131和P132）掩模