半导体材料硅锗晶体中的杂质.pptxVIP

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会计学;4.1.2 杂质对材料性能的影响;2.杂质对材料电阻率的影响; 上两式表明,在有杂质补偿的情况下,电阻率主要由有效杂质浓度决定。但是总的杂质浓度NI=NA+ND也会对材料的电阻率产生影响,因为当杂质浓度很大时,杂质对载流子的散射作用会大大降低其迁移率。 例如,在硅中Ⅲ、V族杂质,当N1016cm-3时,对室温迁移率就有显著的影响. Hall法来测定材料的电阻率与载流子浓度。 ;工作电流I与载流子电荷e、n型载流子浓度n、迁移速率v及霍尔元件的截面积bd之间的关系为I=nevbd, ;室温下(300K)硅、锗的电阻率值随施主或受主浓度的变化关系。在半导体材料和器件生产中,常用这些曲线进行电阻率与杂质浓度(ρ-N)换算。;4-2硅、锗晶体的掺杂;直拉硅单晶中杂质的掺入 一、掺杂量的计算 1、只考虑杂质分凝时的掺杂 直拉法生长晶体的过程,实际上是一个正常凝固的过程。如果材料很纯,材料的电阻率ρ与杂质浓度CS有如下关系:     ρ=1/CSeμ  (4-3)μ为电子(或空穴)迁移率 正常凝固的杂质分布为    CS=kC0(1-g)k-1            (4-4) 将4-4代入4-3式可算出在拉单晶时,拉出的单晶的某一位置g处的电阻率与原来杂质浓度的关系: ;如果要拉电阻率ρ为w克锗,所需要加入的杂质量m为: ;;第10页/共66页; 因为掺杂量一般较少,如用天平称量会有较大误差,所以除非拉制重掺杂的单晶,一般都不采用直接加入杂质的办法,而是把杂质与锗(硅)先做成合金,(称之为母合金),拉单晶时再掺入,这样可以比较准确的控制掺杂量。 课本例2 有锗W(g),拉制g处电阻率为ρ的单晶,应加入杂质浓度为Cm的母合金量为多少?   (设原料锗中杂质量远小于合金中杂质的量) 解:因为杂质在母合金中的总数和在熔体中的总数相等。 ;又因为: d(母合金密度)≈d(锗密度), M合金的质量一般很小 W锗+M合金≈W锗;母合金可以是单晶(或多晶),通常在单晶炉内掺杂拉制,测量单晶电阻率后,将电阻率曲线较平直部分依次切成~厚的片,再测其电阻率,清洗后编组包装顺次使用。 母合金中杂质的含量用母合金浓度(cm-3)来表示,其大小可通过试拉???晶头部电阻率求出。其公式为: 试拉单晶重×单晶头部杂质浓度=掺杂母合金量×母合金浓度×K(杂质的分凝系数) 单晶头部浓度由ρ—N曲线查得。;;二实际生产中的近似估算 ;②确定熔体中的来源于原料和坩埚的杂质浓度CL1;④求熔体中实际杂质浓度CL 考虑原料与坩埚引入杂质的影响(杂质补偿),在拉制电阻率ρ上~ ρ下范围单晶时,应加入熔体中实际杂质浓度应为 CL=CL2-CL1 (试拉单晶为同型) CL=CL2+CL1(试拉单晶为不同型) ;⑤考虑杂质的蒸发作用,最初加入杂质后,熔硅内杂质浓度应为 ;6 确定需加入母合金质量 ;第20页/共66页;第21页/共66页;第22页/共66页;第23页/共66页;三、杂质掺入的方法;4-2-2 单晶中杂质均匀分布的控制 ;直拉法生长单晶的电阻率的控制 1.直拉法单晶中纵向电阻率均匀性的控制 影响直拉单晶电阻率的因素有杂质的分凝、蒸发、沾污等。对于K1的杂质,分凝会使单晶尾部电阻率降低;而蒸发正好相反,蒸发会使单晶尾部电阻率升高; 坩埚的污染(引入P型杂质)会使N型单晶尾部电阻率增高,使P型单晶尾部电阻率降低。 如果综合上述的影响因素,使纵向电阻率逐渐降低的效果与使电阻率逐渐升高的效果达到平衡,就会得到纵向电阻率比较均匀的晶体。   对锗单晶来说,杂质分凝是主要的,而对于硅单晶而言,杂质的分凝与蒸发对纵向电阻率的均匀性都有很大的影响。下面介绍控制单晶纵向电阻率均匀性方法。; (1)变速拉晶法。此法基于Cs=KCL这一基本原理,因为在拉晶时,若杂质Kl,CL将不断增大,要保持Cs不变,则必须使K值变小。 实际上,K应为Keff,它随拉速和转速而变。当拉速f小时,Keff→K0, f 增大,Keff也增加。 若在晶体生长初期用较大的拉速,随后随着晶体的长大而不断减小拉速,保持CL与Keff乘积不变,这样拉出来的单晶纵向电阻率就均匀了。 一般变拉速比较方便,但改变拉速f是有一定范围的,f太大晶体易产生缺陷,f大小,生产时间过长。;对于硅,因有蒸发及其他因素影响可利用。 例如由变拉速拉出的晶体尾部电阻率较低,可把晶体尾部直径变细,降低拉速,增加杂质蒸发使CL变小,而改善晶体电阻率的均匀性。 反之,如单晶尾部电阻率高,可增加拉速,降低真空度减少杂质蒸发使电阻率均匀。 ; (2)双坩埚法(连通坩

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