2023-2025年氮化镓行业调研与市场分析报告.pdf

2023-2025年氮化镓行业调研与市场分析报告 汇报人 ：李育泉 时间 ：2022-12-21 目 录 1 . 行业发展概述 2 .行业环境分析 CONTENT 3 .行业现状分析 4 .行业格局及趋势 PART 01 行业发展概述 行业定义 氮化镓化学式为GaN，英文名称为GalliumNitride ，是氮和镓的化合物 ， 定义 属于第三代半导体材料 ，通常情况下为白色或者微黄色的固体粉末 ，具有稳 定性高、熔点高、坚硬的特点。氮化镓有三种晶体结构 ，分别为纤锌矿、闪 锌矿和岩盐矿 ，其中六方纤锌矿结构是稳态结构 ，存在形式最为广泛 ，立方 闪锌矿是亚稳态结构 ，立方岩盐矿结构只有在极端高压情况下才会出现。纤 锌矿结构的氮化镓是六角晶胞结构 ，即每个晶胞中含有6个氮 （N）原子和6 个镓 （Ga）原子。晶格常数有a和c两个 ，a=0.3189nm，c=0.5185nm。 纤锌矿结构的氮化镓存在两套米牌子晶格 ，分别仅包含Ga原子或仅包含N 原子 ，这些原子沿c轴相互错开5/8c （c为晶格常数）。目前氮化镓晶圆的 制备工艺中，应用最广泛的是HVPE工艺 ，具有操作简单 ，生长速度快的优 点。HVPE法是指在温度为850度温区内放入金属镓 ，呈液态后 ，从热璧上 特点 层注入氯化氢气体 ，形成氯化镓气体 ，后将氯化镓气体传送至衬底 ，在 1,000度至1,100度温度下与氨气反应 ，最终生成氮化镓晶体。 行业发展历程 1998年 ，美国Cree公司开发出首个碳化硅基GaN 高电子迁移率晶体管 ，从此LED照明开始商业化 ， 2008年 ，氮化镓金属氧化物半导场效晶体 （MOSFET）得到推广 ，2009年 ，EPC公司推出 第一款商用增强型氮化镓 （eGaN）晶体管 ； 2010年 ，日本住友 日本住友、日立等公司实现氮 化镓衬底材料尺寸突破及进一步产品化。 萌芽期 （1969-1997年） 发展期 （2013年至今） 1969年 ，日本科学家Maruska等人采用氢化物气相沉 2013年 ，中国科技部发布863计划 ，将第三代半导体产业 积技术在蓝宝石衬底表面沉积出了氮化镓薄膜 ，但质 列为战略发展产业 ，2