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半 导 体 公 式 (总 4 页 ) --本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可-- -- 内页可以根据需求调整合适字体及大小-- 第一章 ： 常温常压下：G E 0.66eV ;Si E 1.12eV ;GaAs E 1.42eV 。E 为禁带宽度 e g g g g T 2  4  E (T ) E (0)  ;Si : E (0) 1.170eV , 4.7310 eV / K , 636K g g T  g m m 为价带顶空穴有效质量，硅：m 0.59m , 锗：m 0.37m