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DRIE深反应离子刻蚀技术会计学内容第1页/共22页等离子形成基础干法刻蚀各向异性深反应离子刻蚀(DRIE)等离子产生第2页/共22页无外加电压包含中性原子的气体加应用电压自由电子被加速能量 = 场 · L原子的弹性碰撞增加电压和场能量电子离化或激发气体原子激发的气体原子回到阳极产生可见的光子(例如, 辉光)阴极 (负电压)中性气体原子 (Ar)压力: 5 mtorr平均自由程: ~1 cm间距: 15 cm阳极 (地)离化气体原子贡献另一个电子雪崩碰撞气体击穿可维持?EEe-Ar+causes:e-e-ArDC 等离子体 (辉光放电)第3页/共22页雪崩放电当 e- 有足够的能量离化气体原子时产生不是自维持的必须产生电子以维持放电能量离子轰击阴极表面产生二次电子当有足够电子产生时，可维持放电过程因为电场集中在产生电子的阴极处，因此不需高电压辉光放电暗区第4页/共22页阴极暗区大量能量气体离子移向阴极在阴极产生的二次电子加速离开阴极靠近阴极部分暗区中的净电贺数为正产生大电场 (电压跌落很大)无辉光，原因是 e- 能量很高，主要离化气体原子很少激发电子SF6CF3+FFSF5+CF2++HFF-H2H20CF4OH-FH+H20SiF4SiF4FFFFSi+SiO2WetDry什么是 “干法” 刻蚀?第5页/共22页在湿法腐蚀液中, 腐蚀反应剂来自与液体中在 干法 腐蚀中, 腐蚀反应剂来自于气体或气相源 来自于气体的原子或离子是腐蚀暴露出的薄膜的反应物腐蚀速率第6页/共22页腐蚀剂的产生若没有腐蚀剂的产生，就没有腐蚀扩散到表面腐蚀剂必须到表面才能和膜反应或腐蚀运动到表面的方式将影响到选择比, 过刻, 和均匀性吸附和表面扩散能产生方向选择 (isotropic or anisotropic)反应与温度关系密切 (Arrhenius relationship)明显影响腐蚀速率脱附若反应样品不挥发，能停止腐蚀扩散到气体由于未反应腐蚀剂的稀释，导致非均匀腐蚀气相干法腐蚀第7页/共22页反应气体表面气体吸收, 溶解, 以及反应XeF2 腐蚀的特点选择性非常高腐蚀速率快各向同性FAdsorbXeF2XeFRF 等离子干法刻蚀第8页/共22页AnodeF+e-F+e-CF4F+e-F+e--VbiasCathodee - + CF4 → CF3+ + F + 2e-RF: 频率 (典型 13.56 MHz)电子在辉光区的震荡需要足够的能量以引起离化气体离子太重，不能响应高频电场的变化干法刻蚀工艺的类型第9页/共22页断面特征取决于:能量压力 (平均自由程)偏压方向性 晶向干法刻蚀工艺的类型第10页/共22页腐蚀类型 能量 压力气体/蒸汽 腐蚀 无 高- 各向同性, 化学, 选择性好 (760-1 torr)等离子腐蚀 10 ~ 100 Watts 中- 各向同性, 化学, 有选择 (100 torr)反应离子腐蚀 100 Watts 低 - 方向性, 物理 化学, 有选择 (10-100 mtorr)溅射腐蚀剂100~1000 Watts 低 - 方向性, 物理, 低选择性 (~10 mtorr)干法腐蚀: 气体混合第11页/共22页Chlorofluorocarbons (CFCs)的消除材料 传统气体 新气体Si Etching: Cl2, BCl3 SiCl4Cl2, BCl3Cl2 Passivation: C4F8, CCl4,CHF3 HBr/O2, HBr/Cl2O2, Br2SF6, SF6SiO2 CF4, C2F6, C3F8 CCl3F2, CHF3,/CF4, CHF3,/O2, CH3CHF2Si3N4 CHF3, CCl2F2 CF4/O2, CF4/H2, CH3CHF2Al Cl2, BCl3, SiCl4 HBr, Cl2, BCl3, SiCl4W SF6 / Cl2 / CCl4 SF6 (only), NF3 / Cl2 Organics O2, O2 + CF4 CO, CO2, H2O, HF 基于F气体和等离子体的Si SiO2 的干法刻蚀第12页/共22页是ICs MEMS的主要刻蚀气体CF4 不腐蚀 Si，但 F2 会腐蚀 Si 形成 SiF2 和 SiF4等离子的作用是产生能穿透SiF2类型的表面的F干法刻蚀的各向异性第13页/共22页若腐蚀是纯化学的，则是各向同性的离子轰击以损伤表面可以提高腐蚀速率产生断裂键正离子加速到达阴极 (-V)SiO2 不被腐蚀，除轰击外 (垂直)导致不同的腐蚀形貌 (侧边)干法刻蚀的各向异性第14页/共22页当 H2 加入到 CF4中, Si的腐蚀速率降到零当偏压增加, 腐蚀速率也增加结合这两种效应，可以实现非常好的各向异性腐蚀第15页/共22页不挥发