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- 2023-01-30 发布于四川
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本实用新型涉及一种高可靠性超结功率半导体结构，它包括漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型第一外延层、第二导电类型柱、第一导电类型柱、第二导电类型体区、第一导电类型第二外延层、第一导电类型源区、栅氧层、栅极多晶硅、绝缘介质层、场氧层、栅极总线多晶硅、第二导电类型阱区与源极金属。本实用新型结构的第一导电类型第二外延层内不存在填充的缺陷，器件表面的电场不会受到明显的影响，降低器件的漏电，提升了器件的可靠性；本实用新型的制造工艺与现有工艺兼容，降低了制造成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212303677 U
(45)授权公告日 2021.01.05
(21)申请号 202022155283.0
(22)申请日 2020.09.27
(73)专利权人 无
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