Pd掺杂的V(100)表面稳定性和氢渗透性能的计算分析.pdfVIP

Pd 掺杂的V(100)表面稳定性和 氢渗透性能的计算分析 摘 要：BCC 结构的V 基固溶体有良好的氢渗透性能，在氢分离膜中具有应用潜力。采用第一性原理方法 研究Pd 掺杂V(100)表面的H 吸附和渗透机理，讨论氢覆盖对氢吸附和扩散的影响。计算结果表明：Pd 优 先取代V(100)表面的第一层V 原子。在V-Pd(100)表面不同位置吸附H 原子的稳定性由大到小依次为洞位、 桥位、顶位，Pd 掺杂降低了表面H 原子的吸附能力，有利于H 原子的解离和缔合效率。Pd 掺杂的V(100) 表面，H 原子从表面扩散到次表面的扩散能垒降低，提高了氢渗透率。随着H 原子覆盖度的增加，H 吸附 于V(100)表面的能力减弱，而吸附于V-Pd(100)表面的能力增强。差分电荷密度的计算结果表明，Pd—H 键 比V—H 键弱，故Pd 元素的掺杂能够改善H 的渗透性能和解氢能力。 关键词：V 基固溶体；Pd 掺杂；表面；氢渗透性；第一性原理计算 随着燃料电池与半导体行业的迅猛发展，市场 气，其中Pd 及其合金薄膜因对H 有着高渗透性和 [1−2] [9] 对氢气的需求正日益增大 。然而，利用传统方 选择性已早早被用于商业化 。但与陶瓷、聚合物 法生产的氢气总是含有少量的杂质气体，如CO、 和碳膜相比，这类贵金属薄膜进行大规模应用的成 [3−4] [10] CO 、NH 等 。因此，从混合气体中分离和纯化 本过高 。具有BCC 结构的过渡金属V 由于其特 2 3 [5−7] 氢气是获得高纯度氢气的重要手段 。在常见的 殊的性质、较低的成本和较高的氢渗透性，在氢分 [11−13] 氢气分离技术中，膜分离法因其低成本、高能效、 离膜中具有巨大的应用潜力 。然而，V 基合金 [8] [14] 易操作等优点而被广泛关注 。理论上讲，金属膜 对H 的解离和缔合作用十分缓慢 。同时，V 金属 扩散法可在分离步骤中获得纯度为99.9999% 的氢 的表面易于氧化，形成的氧化物会进一步阻止H 在 1332 中国有色金属学报 2022 年5 月 表面上的解离以及H 原子向体内的渗透，从而严重 原子的吸附位点是顶位(TS)、桥位(BS)、洞位 [15] 影响钒基膜的氢渗透性能 。 (HS)、面心位(FS) 和六角位(H S) ，如图1 所示。 1 合金化是解决上述问题的重要方法[16−17] 。研究 其中，桥位分短桥位(SBS)和长桥位(LBS) 。对于 人员使用气相沉积实验方法研究了V 金属膜两侧表 Pd 掺杂的p(2×2) V(100)表面，使用5 层原子进行模 [18−20] 面镀上极薄的Pd 或钯合金催化剂涂层 ，实验 拟，真空层厚度设为10 Å ，所有原子放开弛豫。 表明，该法能有效降低H 原子通过金属膜表面的阻