原创力文档- 11
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- 2023-02-18 发布于北京
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一种装置、方法和系统。该装置包括存储器阵列，该存储器阵列包括字线和阶梯式蚀刻停止层，字线限定阶梯式结构，阶梯式蚀刻停止层包括：夹芯式蚀刻停止层，设置在阶梯的顶部区域上并包括第一材料的第一蚀刻停止层和第三蚀刻停止层、以及被夹在第一蚀刻停止层与第三蚀刻停止层之间并且由第二材料制成的第二蚀刻停止层，该第二材料具有与第一材料的蚀刻属性不同的蚀刻属性；预切割的蚀刻停止层，被设置在阶梯式结构的在顶部区域下方的区域处，并且包括第二蚀刻停止层和第三蚀刻停止层且不包括第一蚀刻停止层；以及接触结构，延伸穿过电介质层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115702493 A
(43)申请公布日 2023.02.14
(21)申请号 202080102415.3 (51)Int.Cl.
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