晶体三极管和场效晶体管.docxVIP

项目二 制作与调试简易扩音器测试题（1） （总分：100 分） 班级学号 组别 姓名 分数一、填空题（每空 1 分，共 34 分） 晶体三极管是一种 控制型器件，用 来控制 ；场效应管是一种 器件，用 来控制 。 CEO BE当温度升高时，晶体三极管的β ， I ，U 。 CEO BE 在共发射极电路中 极作为输入端， 极作为输出端。在共基极电路中 极作为输入端， 极作为输出端，共集电极电路中 极作为输入端， 极作为输出端。 B C B C4．若测得某晶体三极管电流：I =20 uA 时，I =1mA，当 I ＝60uA 时，I =2.96mA，则可求得该管的 B C B C 为 ， 为 ， 为 。I I 为 ， 为 ， 为 。 5．晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是：发射结 5．晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是：发射结 ，集电结 ，工艺条件 是 ， ， 。电流分配关系 是 。 表示三极管放大能力的主要参数是 ，其定义式为 ；表示场效应管放大能力的主要参数是 ，其定义式为 。 晶体管工作于 区时具有恒流特性，场效应管工作于 区时有恒流特性。 放大电路中某三极管 A、B、C 三个电极，测得各电极电位分别为-4V，-3.3V，-8V，则该管类型为 ，材料为 ，A、B、C 三个电极的名称分别为 、 、 。 二、判断题（每题 2 分，共 20 分） C CM C CM对三极管而言，当 I I ，P P ，管子的放大能力将下降。 C CM C CM 晶体三极管内部有两个PN 结，场效应内部也有两个PN 结，因此它们放大原理相同。（ ） 二极管、三极管、场效应管都属于非线性器件。（ ） 晶体三极管是电流控制型器件，由它组成的电路只能放大电流信号，而场效应管是电压控制器件， 由它组成的电路只能放大电压信号。（ ） 三极管发射结正偏，集电结反偏不一定工作于放大状态。（ ） E C B已知某三极管的发射极电流 I =1.36mA，集电极电流 I ＝1.33mA，则基极电流 I ＝30 μA。 E C B 晶体三极管具有恒流特性，场效应管具有恒压特性。（ ） 晶体三极管使用时，集电极和发射极可以相互对调，而结型场效应漏极和源极不可以相互对调（。 ） 二极管、三极管、场效应管工作性能都受温度影响。（ ） 晶体三极管没有能量放大作用，而场效应管具有能量放大作用。 （ ） 三、选择题 （每题 3 分，共 30 分） 1．能正确反映共发射极组态内部电流分配关系的表达式是 。 B E CBO C B CEOA．I =（1?β）I ?I B．I ＝βI +（1+β） B E CBO C B CEO ． ． ． ．C B CBO E B CBO．I ＝βI +（1+β）I D．I =（1+β）I ? I 2． 晶 体 管的共发射极输出特性常用一簇曲线表示，其中每条曲线对应一个特定的 。A I B U C I D ． ． ． ． C B CBO E B CBO C CE B BE 放大电路中，场效应管工作在输出特性曲线的 区域。 A．可调电阻区 B．饱和区 C．击穿区 D．截止区 已知某晶体管的 P =125mw，I =50mA，U =25V，在下列条件下能正常工作的是 。 CM CM （BR）CEO A．I =60mA，U =2V B．I =20mA，U =30V C CE C CE C．I =20mA，U =15V D．I =10mA，U =12V C CE C CE 实践中判断三极管是否饱和，最简单可靠的方法是测量 。 A．I B．U C．I D．U C CE B BE 6．3DDl5 型晶体管是( )。 A．低频小功率锗三极管 B．低频大功率硅NPN 型三极管 C．高频硅NPN 型大功率三极管 D．低频大功率锗NPN 型三极管7．温度升高时，晶体管输出特性曲线簇的间隔距离将 。 A．增大 B 减小 C 不变 D 无法确定8．图 2-1 所示的曲线表示 。 A．三极管的输入特性曲线 B．增强型NMOS 管的转移特性曲线C．结型场效应管的转移特性曲线 D．增强型PMOS 管的转移特性曲线 如图 2-1 所示曲线中的 V 称为 。 T A．夹断电压 B．门坎电压 C．开启电压 D．导通电压 如图 2-2 所示的曲线表示 特性曲线，跨导为 。 A．耗尽型PMOS 管，1000uA／V B．耗尽型NMOS 管，1uA／V C．耗尽型NMOS 管，1000uA／V D．耗尽型PMOS 管，1uA／V 图2-1 四、分析计算题（共 16 分）