模拟电子技术常用半导体器.pptxVIP

1.3.1 结构与符号 1.3.2 电流的分配与控制 1.3.3 电流关系 1.3.4 伏安特性曲线 1.3.5 主要参数与型号;1.3.1结构与符号; 内部结构特点： 发射区的掺杂浓度最大， 基区的掺杂浓度最小。 集电区的面积比发射区的面积大， 它们并不对称。 基区要制造得很薄， 其厚度一般在几个微米至几十个微米。;1.3.2 电流分配与控制; IE= IEN+ IEP 且IENIEP IEN=ICN+ IBN 且IEN IBN ICNIBN ;1.3.3电流关系;(2)三极管的电流放大系数;;1.3.4 伏安特性曲线;;当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE ≥1 V, vBE ≥0.7 V时，运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后vCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与vCE轴基本平行的区域 。; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;1.3.5 主要参数与型号;; ②极间反向电流 1.集电极基极间 反向饱和电流ICBO 它相当于集电结的反向 饱和电流。 ;; 2.共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，≈?、≈?，可以不加区分。;(3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM;②集电极最大允许功率损耗PCM;半导体三极管图片;半导体三极管图片;二.半导体三极管的型号; 表1.3.1 双极型三极管的参数;例：测量三极管三个电极对地电位如图所示，试判断三极管的工作状态。