NOR Flash 和 NAND Flash分析和总结.docx

NOR Flash 和 NAND Flash 在应用十分广泛，但是很难说清两者到底有什么关系，这里我简要总结一下，两者之间的区别和联系： NOR Flash 和 NAND Flash：是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel 于 1 988 年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且想磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（X IP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在 Flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。NOR 的传输效率很高，在 1~4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND 的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用 NAND 的困难在于 Flash 的管理和需要特殊的系统接口。通常 NOR 的速度比 NAND 稍快一些，而 NAND 的写入速度比 N OR 快很多，在设计中应该考虑这些情况。——《ARM 嵌入式 Linux 系统开发从入门到精髓》 NOR 和 NAND 详解：NOR 和 NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Inte l 于 1988 年首先开发出NOR flash 技术，彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了 NAND flash 结构，强调降低每比特的成本， 更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清 NOR 和 NAND 闪存。相“flash 存储器”经常可以与相“NOR 存储器” 互换使用。许多业内人士也搞不清楚 NAND 闪存技术相对于 NOR 技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时 NOR 闪存更适合一些。而 NAND 则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR 的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在 flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM 中。NOR 的传输效率很高，在 1～4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用 NAND 的困难在于 flash 的管理和需要特殊的系统接口。 性能比较：flash 闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何 flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR 则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为 0。由于擦除 NOR 器件时是以 64～128KB 的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为 5s，与此相反，擦除 NAND 器件是以 8～3 2KB 的块进行的，执行相同的操作最多只需要 4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR 和 NADN 之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于 NOR 的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时， 设计师必须权衡以下的各项因素。 l NOR 的读速度比 NAND 稍快一些。 NAND 的写入速度比 NOR 快很多。 NAND 的 4ms 擦除速度远比 NOR 的 5s 快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 接口差别：NOR flash 带有 SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND 器件使用复杂的 I/O 口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8 个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND 读和写操作采用 5 12 字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于 NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 容量和成本：NAND flash 的单元尺寸几乎是 NOR 器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND 结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash 占据了容量为 1～16MB 闪存市场的大部分，而 NAND flash 只是用在 8～128MB 的产品当中，这也说明 NOR 主要应用在代码存储介质中，NAND 适合于数据存储，NAND 在Compact Flash、Secure Digi