电化学分析法 .pptVIP

原理 LaF3的晶格中有空穴，在晶格上的F-可以移入晶格邻近的空穴而导电。对于一定的晶体膜，离子的大小、形状和电荷决定其是否能够进入晶体膜内，故膜电极一般都具有较高的离子选择性。 E膜 = K - 0.059 lgaF- = K + 0.059 pF 当氟电极插入到F-溶液中时，F-在晶体膜表面进行交换。25℃时： 第三十一页，共七十五页，2022年，8月28日 讨论： (1) 具有较高的选择性, 比F-量高1000倍的Cl- 、Br- 、I- 、SO42-、NO3- 无明显干扰。 (2) 需要在pH 5～7使用。为什么？ pH低，生成HF或HF2-； pH高，溶液中的OH-与氟化镧晶体膜中的F-交换； (3) 干扰离子：Al3+、Ca2+、Mg2+，加掩蔽剂消除干扰。 第三十二页，共七十五页，2022年，8月28日 （2） 多晶膜电极 难溶盐的沉淀（AgCl、AgBr、AgI、Ag2S 等）粉末，在高压下压制成薄片作为敏感膜。 Ag+起传递电荷的作用； 膜电位由与Ag+有关的难溶盐的溶度积所控制； 对卤离子响应的卤化银多晶膜电极的电极电位(25℃) ： 第三十三页，共七十五页，2022年，8月28日 讨论： （1）为了增加卤化银电极的导电性和机械强度，减少对光的敏感性，常在卤化银中掺入A