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本实用新型公开了一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件，属于半导体防浪涌器件领域，包括基岛、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一金属焊接区、第二金属焊接区、第一金属电极和第二金属电极；第一半导体芯片和第二半导体芯片分别设置于基岛的两侧；基岛、第一金属电极和第二金属电极分别连接一金属引脚。本实用新型的有益效果在于：与传统的单路浪涌防护器件相比，通过单颗器件同时实现了共模防护和差模防护，无需多颗器件组合，更加小巧方便，具有小型化、生产工艺稳定、高可靠性、生产效率高、美观等优点，满足未来的器件小型化的发展
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212967694 U
(45)授权公告日 2021.04.13
(21)申请号 202022270691.0
(22)申请日 2020.10.13
(73)专利权人 上海维安半导体有限公司
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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