高二物理课件一般情况下的载流子统计分布.pptxVIP

一般情况下的载流子统计分布 2023/3/132一般情况下的载流子统计分布自学：p70-74 10-15min主要内容：电中性方程的一般形式 用解析法求解载流子浓度及费米能级 2023/3/133一般情况下的载流子统计分布1. 两种杂质情况以NDNA为例电中性条件分温区进行讨论仅EF和T未知 2023/3/134一般情况下的载流子统计分布(1)低温弱电离区∵NDNA受主杂质全电离n型半导体同时，极低温度下，施主杂质不能完全电离，所以EF位于ED上下。分情况讨论 2023/3/135一般情况下的载流子统计分布(1)低温弱电离区a. 极低温度下此时 2023/3/136一般情况下的载流子统计分布(1)低温弱电离区b. 温度升高此时(类似于单一杂质情况) 2023/3/137一般情况下的载流子统计分布综上所述，对于NDNA的情形，载流子浓度(取对数坐标)对1／T的曲线将出现斜率不同的两个区域，低温下的斜率为较高温度下斜率的两倍．发生转折的电子浓度应为受主浓度。掺杂浓度为7.4?1014cm-3的p型Si的实际测量结果。由发生转折的空穴浓度可以定出其中所含施主浓度约为1011cm-3。 2023/3/138一般情况下的载流子统计分布(1)低温弱电离区c. 一般情形 2023/3/139一般情况下的载流子统计分布(2)强电离区即需要考虑杂质的补偿作用(3)过渡区 2023/3/1310一般情况下的载流子统计分布(4)高温本征激发区此时和本征半导体相同注意：少数载流子浓度仍然为非简并系统的热平衡状态 2023/3/1311杂质半导体的载流子浓度例题5 若Si中的ND＝1×1017cm-3，△ED＝0.012eV，求施主杂质3/4电离时所需的温度。 2023/3/1312杂质半导体的载流子浓度根据具体条件，写出电中性方程代入相应的公式求解费米能级和载流子浓度其他相关参数（如温度） 2023/3/1313杂质半导体的载流子浓度补充1：设二维正方格子的晶格常数为a，若电子能量为：E(k)=h2 (kx2+ky2) /2mn*，求状态密度。补充2：三块硅材料，室温下（300K）空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3。 (1)? 求三者的电子浓度n01，n02，n03； (2)? 判断三者的类型； (3) 计算三者的EF位置。