高二物理课件准平衡.pptxVIP

准平衡 准平衡非平衡载流子的区间不讨论 准平衡有光照时晶格弛豫（10-10s）复合（～μs）电子子系统与晶格平衡空穴子系统与晶格平衡但电子子系统和空穴子系统不平衡“准平衡” 偏离热平衡的程度非平衡时：对于n型半导体，小注入时深能级的间接复合往往是决定材料寿命的主要过程复合的分类直接复合按复合过程：间接复合体内复合按复合位置：表面复合辐射复合（发光）按能量交换方式：发射声子非辐射复合俄歇复合电子在导带和价带之间的直接跃迁是动态的，统计的单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数非简并时，r只与T有关，而与n、p无关 影响τ的因素多子浓度复合几率r非平衡载流子浓度（一般地说，禁带宽带越小，直接复合的几率越大。）得到的寿命值比实验结果大的多。这说明对于硅、锗寿命还不是由直接复合过程所决定，一定有另外的复合机构起着主要作用，决定着材料的寿命，这就是间接复合。