电子元件知识培训.pptVIP

主要特性参数: 特征频率fT 当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电 路将不正常工作. 工作电压/电流 用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围 hFE：电流放大倍数. VCEO：集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. PCM最大允许耗散功率. 第三十页，共五十页。 定义：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）. 它属于电压控制型半导体器件.场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声 ?作用：放大.开关。 分类： 沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型, 绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 内部结构：结场效应晶体管和MOS场效应晶体管, MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.、 场效应管 第三十一页，共五十页。 主要特性参数: Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0 时的漏源电流. Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. BvDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最 第三十二页，共五十页。 ? 定义：在一片很小的硅芯片,一面用激光或其它的方法蚀刻成大量的电阻,电容晶体管等组件并连接成电路,然后进行封装,便形成IC,由于IC内组件的结构紧密,电压大,故性能稳定,能够完成大规模的电路作业. 作用：集成各类元件功能，大规模运算 分类： 1.电路按其功能、结构的不同：模拟集成电路和数字集成电路 2.制作工艺：半导体集成电路和薄膜集成电路。 3.按规模大小：小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）、 大规模集成电路（LSI）、超大规模集成电路（VLSI）、特大规模 集成电路（ULSI） 4.导电类型：双极型集成电路。单极型集成电路。 5.用途：电视机用集成电路。音响用集成电路.影碟机用集成电路. 用集成电路、电脑（微机） 集成电路:IC 第三十三页，共五十页。 脚位的识别: IC类元件的方向辨识以元件本体标识的缺角、横线、圆点、凹槽等参考。参考点左下角第一角为元件的1脚，然后逆时针排列 第三十四页，共五十页。 IC制造流程 第三十五页，共五十页。 常用电子元件在电路中的符号： 第三十六页，共五十页。 常用电子元件在电路中的符号： 第三十七页，共五十页。 电子元件知识培训 Prepared by : AARON 第一页，共五十页。 课程介绍 2 3 1 元件分类及封装介绍 常规元件介绍 仪器使用及元件测试 第二页，共五十页。 主动元件 (Active)： 在模拟或数字电路中，可以自己控制电压和电流，以产生增益或开关作用，即对施加信号有反应，可以改变自己的基本特性。 如二极管，三极管，LCD，IC类。 被动元件 (Passive)： 当施以电信号时不改变本身特性，即提供简单的、可重复的反应。 如电阻。电容。电感。晶振类。 元件分类 第三页，共五十页。 封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。 封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种 元件封装介绍 第四页，共五十页。 封装发展进程结构方面 材料方面 引脚形状 装配方式 通孔插装 表面组装 直接安装 长引线 直插 短引线或 无引线 贴装 球状凸点 金属,陶瓷 陶瓷,塑料 塑料 TO DIP PLCC QFP BGA CSP 第五页，共五十页。 常见的封装形式 第六页，共五十页。 常用元件类型介绍 电阻 电容 电感 变压器 二极管 三极管 场效应管 集成电路 印刷线路板 电池 第七页，共五十页。 定义：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，R=U/I. 作用：分流、限流、分压、偏置。 单位：欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）,毫欧(m Ω)等。 换算方法是：1M Ω =103K Ω =106 Ω=109m Ω 分类： 线绕电阻器: 薄膜电阻器:金属膜，碳膜 实心电阻器: 敏感电阻器: PTC正温度系数: NTC负温度系数 贴片电阻. 电阻 第八页，共五十页。 主要特性参数: 1.标称阻值：电阻器上面所标示的阻