MOS管工作原理及芯片汇总.docx

MOS 管工作原理及芯片汇总 一：MOS 管参数解释 MOS 管介绍 在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑 MOS 的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 MOSFET 管是 FET 的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P 沟道或 N 沟道共 4 种类型，一般主要应用的为增强型的 NMOS 管和增强型的 PMOS 管，所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型 MOS 管，比较常用的是 NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用 NMOS。 在 MOS 管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的 MOS 管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些， 但没有办法避免。 MOS 管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS 的特性，Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如 4V 或 10V, 其他电压，看手册）就可以了。PMOS 的特性，Vgs 小于一定的值就会导通，适合用于源极接 VCC 时的情况(高端驱动)。但是，虽然 PMOS 可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用 NMOS。 MOS 开关管损失 不管是 NMOS 还是 PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在 DS 间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的 MOS 管会减小导通损耗。现在的小功率 M OS 管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右 MOS 在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS 两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS 管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间， 可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 MOS 管驱动 MOS 管导通不需要电流，只要 GS 电压高于一定的值，就可以了。但是，我们还需要速度。 在 MOS 管的结构中可以看到，在 GS，GD 之间存在寄生电容，而 MOS 管的驱动， 实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计 MOS 管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 普遍用于高端驱动的 NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的 MOS 管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比 VCC 大(4V 或 10V 其他电压，看手册)。如果在同一个系统里，要得到比 VCC 大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动 MOS 管。 Mosfet 参数含义说明Features: Vds： DS 击穿电压.当 Vgs=0V 时，MOS 的 DS 所能承受的最大电压Rds(on)：DS 的导通电阻.当 Vgs=10V 时，MOS 的 DS 之间的电阻 Id： 最大 DS 电流.会随温度的升高而降低Vgs: 最大 GS 电压.一般为：-20V~+20V Idm: 最大脉冲 DS 电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力， 跟脉冲时间也有关系 Pd: 最大耗散功率 Tj: 最大工作结温，通常为 150 度和 175 度Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流 Ear: 重复雪崩击穿能量 Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量BVdss： DS 击穿电压 Idss: 饱和 DS 电流，uA 级的电流Igss: GS 驱动电流，nA 级的电流. gfs: 跨 导 Qg: G 总充电电量 Qgs: GS 充电电量 Qgd: GD 充电电量 Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到 10%开始到 Vds 下降到其幅值 9 0%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd