第五章存储器及其接口.pptVIP

(2)引脚说明 第60页，共125页。 5.2.3 几种新型RAM技术 1、快速页面方式 FPM DRAM 2、扩展数据输出动态读写存 储器EDO DRAM 3、突发方式EDO DRAM 第61页，共125页。 4、同步动态读写存储器SDRAM（Synchronous DRAM） 5、带有高速缓存的动态读写存储器CDRAM 6、增强型动态读写存储器EDRAM 第62页，共125页。 7、新一代DRAM （1）DDR DRAM （Double Data Rate DRAM） （2）SLDRAM （Synchronous Link DRAM） （3）DRDRAM （Direct Rambus DRAM） 第63页，共125页。 5.3 只读存储器 5.3.1掩膜ROM存储器 第64页，共125页。 第65页，共125页。 其存储单元由二极管、三极管或场效应管构成，在行列交叉点制作了器件（二极管、三极管、场效应管）表示该点存储了信息“0”，没有器件连接的交叉点表示存储了信息“1”（不同型号的存储器芯片也可能相反）。 第66页，共125页。 5.3.2可编程只读存储器PROM 可编程只读存储器PROM（Programmable Red-Only Memory）只允许写入一次。 第67页，共125页。 1、结破坏型 在字线、