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杨淑英
合肥工业大学电气与自动化工程学院;1.3、半控型器件—晶闸管;晶闸管(Thyristor):晶体闸流管的简称,又称作可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier-SCR)
按照IEC(国际电工委员会)的定义,晶闸管是指那些具有3个以上的PN结,主电压—电流特性至少在一个象限内具有导通、阻断两个稳定状态,且可在这两个稳定状态之间进行转换的半导体器件。
1956年美国贝尔实验室(Bell Lab)发明了晶闸管
1957年美国通用电气(GE)公司开发出第一只晶闸管产品
1958年商业化,开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代
20世纪80年代以来,开始被性能更好的全控型器件取代
能承受的电压和电流容量最高,工作可靠,在大容量的场合具有重要地位;上次课内容回顾;上次课内容回顾;上次课内容回顾;上次课内容回顾;晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型——普通晶闸管。广义上讲,晶闸管还包括其许多类型的派生器件; 晶闸管的结构与工作原理;1.3.1 晶闸管的结构与工作原理;1.3.1 晶闸管的结构与工作原理;1.3.1 晶闸管的结构与工作原理;晶体管回顾;1.3.1 晶闸管的结构与工作原理;1.3.1 晶闸管的结构与工作原理;;;1.3.1 晶闸管的结构与工作原理;1.3.1 晶闸管的结构与工作原理;;1.3.2 晶闸管的基本特性;晶闸管工作特性:
承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通
承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通
晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否还存在,晶闸管都将保持导通
要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即维持电流以下。 ;静态特性
晶闸管阳极伏安特性
第I象限是正向特性;第III象限是反向特性;当AK两端施加反压时,即使有门极信号也不可能在晶闸管内部产生电流正反馈。
当反向电压过大而达到反向折转电压,则反向漏电流迅速上升。类似二极管。;;1.3.2 晶闸管的基本特性;;1.3.2 晶闸管的基本特性;1.3.2 晶闸管的基本特性;1.3.2 晶闸管的基本特性;1.3.2 晶闸管的基本特性;1.3.2 晶闸管的基本特性;1.3.2 晶闸管的基本特性;1.3.2 晶闸管的基本特性;1.3.2 晶闸管的基本特???;1.3.3 晶闸管的主要参数;电压定额
注意:晶闸管正向既可处于阻断状态又可处于导通状态。
断态重复峰值电压UDRM——在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的 正向峰值电压(国标规定重复频率50Hz,持续时间不超过10ms,UDRM=90%UDSMUbo ) 。
反向重复峰值电压URRM—— 在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的反向峰值电压(国标中有类似规定)。
通态(峰值)电压UTM——晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。
额定电压UN=Min(UDRM,URRM),选用时,要留有一定安全裕量,一般取UN=(2~3)晶闸管所承受峰值电压;电流定额
通态平均电流 IT(AV):晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值→额定电流
使用时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管
应留一定的裕量,一般取1.5~2倍;维持电流 IH
晶闸管触发导通以后,在室温和门极开路条件下,使晶闸管维持导通所必需的最小电流
一般为几十到几百毫安,与结温有关,结温越高,则IH越小
3) 擎住电流 IL
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流
同一晶闸管来说,通常IL约为IH的2~4倍
4) 浪涌电流ITSM
指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复最大正向过载电流;动态参数
除开通时间tgt和关断时间tq外,还有:
断态电压临界上升率du/dt(防止位移电流致使其导通)
指在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率
通态电流临界上升率di/dt(考虑导通时的扩展时间)
指在规定条件下,晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率;1.3.3 晶闸管的主要参数;快速晶闸管(Fast Switching Thyristor-FST)
包括所有专为快速应用而设计的晶闸管,有常规快速晶闸管和高频晶闸管
管芯结构和制造工艺进行了改进,开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善
普通晶闸管关断时间数百微秒,快速晶闸管数十微秒,高频晶闸管10?s左右
高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高,不能忽略开关损耗
多用在频率较高的斩波和逆变电路中
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