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si电感耦合等离子刻蚀加工 等离子体刻蚀（Plasma Etching）是利用强电场将原料电介质中的汞离子辐射出去，而形成紊乱电场，在强电场活动中，负责性的气体中的离子充当电子携带，被加速到很高的速度，不断地向原料上的加工点发射，利用该过程对加工表面的物质进行破坏、腐蚀、分解、去吸附，将原料实现某种要求几何形状。 等离子体刻蚀又分为DC等离子体刻蚀以及RF等离子体刻蚀。其中DC刻蚀是DC高压电场把容许离子加速到足够高的能量，从而引起材料腐蚀的技术。DC等离子体刻蚀是对导体和绝缘体都有依据可以获得良好刻蚀效果。 而RF等离子体刻蚀是以一种脉冲模式来控制刻蚀，利用RF场来产生等离子体，等离子体的流动会使得加工物件的表面发生冶疗以及腐蚀，这是大多RF等离子体刻蚀被应用与非导体材料加工及IC显微芯片多层加工的原因。 SI电感耦合等离子刻蚀加工是利用高频绝缘强度，对加工对象施加高频高压，使之产生等离子体碰撞激发，粒子向物体表面发射，具有很强的刻蚀能力。经过穿透行，刻花效应，结合各种复杂几何形状实现加工物件精确的深刻工艺。因此，它具有刻蚀行进速度快、物件外形精细的特点，是半导体、薄膜磁头等微加工的理想技术。 SI等离子刻蚀加工技术，最根源的特点是制造出几何精度高、表面粗糙度低、加工速度快、刻蚀行进速度快、无热影响和可编程等优点。刻蚀技术的最终实现还受益于篱型刻蚀技术，它可以实现刻蚀深度的一致和深层的非金属材料的刻蚀加工以及非常宽的刻蚀速率范围、宽的刻蚀深度变化范围，比较适用于多层薄膜或金属的刻蚀加工，相比于传统的等离子加工技术，具有更大的技术优势。 此外，SI电感耦合等离子加工不仅可以用于组件分离和抛光，还可以用于各种非金属半导体原材料的加工，其加工技术对于增強材料性能具有重要的技术价值，尤其是它能够有效地改善光学特性，以及创造出精确的几何形状。它所涉及到的新型材料和新型结构打造出新型集成电路，为我们的社会发展奠定了基础。