等离子体蚀刻和沉积问题的解决方案.docxVIP

第 1 页 共 3 页 等离子体蚀刻和沉积问题的解决方案 我们讨论了一些重要的等离子体蚀刻和沉积问题(从有机硅化合物)的问 题，特别注意表面条件，以及一些原位表面诊断的例子。因为等离子体介质与 精密的表面分析装置不兼容，讲了两种原位表面调查的技术解决方案： 1)样品在等离子体反应器中处理，并在表面分析装置(XPS、螺旋钻等)的 真空下转移〔为了避免空气暴露中的表面修饰和污染〕; 2)实验是在超高真空条件下的精密等离子体设备中实行的，它用离子、自 由基和分子束模拟等离子体，但与表面分析设备兼容。这两种方法都是有效 的，并且各有优缺点。 在图1通过高真空转移臂(10-1托)连接到表面诊断设备〔即x射线光电子能 谱系统(XPS))的等离子体反应器的典型例子，该系统允许分析样本污染，为了 去除表面污染物层，需要实行强离子轰击和/或适当的化学反应〔例如，在饲料 中添加CCl?或BCl?),当诱导时间结束后，在氯中能够通过氯分子和/或原子的 反应在实验条件下实行蚀刻，真正的化学蚀刻速率，没有由污染物引起的扭 曲，能够通过推断图2的曲线在零时间得到。 第 2 页 共 3 页 ER/[C12) ER/[C12) (A.U.) dlscharge duratlon(mln) 通常需要称为抑制剂或侧壁封闭剂的污染膜的存有来促动定向蚀刻，如在 碳氟化合物混合物中钨干法蚀刻的情况，已经说明，在受离子轰击影响的表面 上，甚至在高氢浓度下也发生蚀刻过程，这是已知的适合沉积而不适合蚀刻的 条件，事实上，这些表面没有被氟聚合物完全覆盖，裸露的钨能够与氟原子反 应；另一方面，没有受到离子轰击的表面被厚的污染物膜覆盖，蚀刻过程完全 停止。 在铝蚀刻的情况下，硬氧化物负责感应时间，原位XPS分析，结合蚀刻率 测量，事实上，已经说明，钛蚀刻过程包括三个连续的步骤：1- “硬的”化学计 量氧化物的缓慢烧蚀；2-非化学计量TIO层的刻蚀；3-金属清洁钛的蚀刻。当 氧化的表面层被蚀刻掉，TI暴露于含氟等离子体时，其表面被污染的氟化层 (11)覆盖，例如，它不能被用作钨CVD(12)的子层，在氮化钛的干蚀刻中也检 测到了表面氧化物引起的诱导时间，即使在这种情况下不能完全排除氧化氮化 钛的贡献。 事实上，说明在诱导期间，TI2p信号的主要特征是氟化氧化物或氧氮合 物，这种污染的水准低于TI蚀刻，因为在蚀刻过程中Ti表面被包括TiF3、 TiF4(蚀刻产品)和Fz(或F-)的污染物层覆盖，但对于TIN情况，只检测到TiF 和/或TiNFy,当在氟化等离子体中达到金属钛的干性蚀刻的稳定状态时，稳定 的厚全氟化表层保护表面不与氧气(从泄漏或添加到饲料)和水(来自泄漏)反应， 这可能导致表面氧化，从而降低蚀刻速率和蚀刻过程的再现性。这能够通过收 集的不同含氧发光放电中的XPS光谱的检查来理解。 低温沉积过程的机理由几个步骤组成，其相对重要性取决于实验条件和所 使用的特定薄膜前驱体。沉积机理的结构示意图如下： 第 3 页 共 3 页 gas-phase oxidation gas-phase oxidation monomer activationoxidation activation M+e =R M+0x=R+X| R+ 0x=P+X R+ Ox= P+X FILM FORMATION Film+Ox=SiOx,X| 在不同的实验条件下，比较了TEOS、HMDSN和TMS的等离子体的质量 sp体外测量计算的单体转化率，值得强调的是，氧活化的重要性能够按以下顺 序排列：曲线1、2、3,在曲线1中，活化的主要通道是在低和高氧-单体比下 的电子冲击，另一方面，在曲线2和曲线3中，即使是少量的氧气也能增加单 体的活化度。图中三条曲线的转换趋势的差异取决于实验中使用的不同沉积条 件(即停留时间)。 事实上，碳氢化合物和醇自由基是聚合物种，增加了膜的碳含量，通过原 位XPS和FT- IR分析，证实了作为硅源的有机硅化合物的强烈碎片化，原位- XPS调查是必要的，因为这些沉积物的表面组成，有时与氧和水非常反应，可 以在空气暴露后发生变化，薄膜的化学结构与起始化合物的化学结构有很大的 不同，其过程几乎没有结构保留，当等离子体的氧-单体比较低时，均匀反应起 着主要作用，无论如何，氧化的最终产物不但是CO、CO2和H2O,而且是具有 还原聚合水平的局部氧化有机化合物。