半导体单晶晶向测定方法-预审.docx

GB/T 1555—XXXX PAGE 7 GB/T 1555—XXXX PAGE 8 半导体单晶晶向测定方法 范围 本文件规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。 本文件适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 2481.1 固结磨具用磨料 粒度组成的检测和标记 第1部分：粗磨粒F4～F220 GB/T 2481.2 固结磨具用磨料 粒度组成的检测和标记 第2部分：微粉F230～F1200 术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 试验条件 环境温度为23 ℃?5 ℃，相对湿度20%~75%。 方法1 X射线衍射法定向法 原理 以三维周期性晶体结构排列的单晶的原子，其晶体可以看作原子排列于空间垂直距离为d的一系列平行平面所形成，当一束平行的单色X射线射入该平面上，且X射线照在相邻平面之间的光程差为其波长的整数倍即n倍时，就会产生衍射（反射）。利用计数器探测衍射线，根据其出现的位置即可确定单晶的晶向，如图1所示。当入射光束与反射平面之间夹角θ、X射线波长λ、晶面间距d及衍射级数n同时满足下面布拉格定律取值时，X射线衍射光束强度将达到最大值。 …………………………………………(1) 对于立方晶系： ………………………………………(2) …………………………………(3) 式中： n——衍射级数； λ——X射线波长，单位为米（m）； d——晶面间距，单位为米（m）； θ——入射光束与反射晶面之间夹角，单位为度（°）； a、c——晶格常数，单位为米（m）； h、k、l——反射平面的密勒指数。 X射线照射到单晶上几何反射条件示意图 对于硅、锗等Ⅳ族半导体、砷化镓及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体，通常可观察到反射一般遵循以下规则：h、k和l必须具有一致的奇偶性，并且当其全为偶数时，（h+k+l）一定能被4整除。 单晶的横截面或单晶切割片表面与某一低指数结晶平面如（100）或者（111）平面会有几度偏离，用结晶平面与机械加工平面的最大角度偏离加以体现，并可以通过测量两个相互垂直的偏离分量而获得。 干扰因素 在调节入射X射线的延长线与探测器和试样转轴连线之间的夹角时，可能造成人为测试误差。 在调整入射X射线束、衍射光束、基准面法线及探测器窗口是否位于同一平面内时，可能造成人为测试误差。 仪器设备 X射线测试装置一般使用铜靶，X射线束靠一个狭缝系统校正，得到一束基本上为单色的平行射线。 试样放置在一个支座上，使被测面绕满足布喇格条件的轴，以度数和弧分测量旋转。 用合适的探测器进行定位，使入射X射线的延长线与计数管和试样转轴连线之间的夹角为两倍布喇格角，注意使入射X射线束、衍射光束、基准面法线及探测器窗口在同一平面内。 样品 测试样品的基准面应研磨平整、无机械损伤。 试验步骤 选择布喇格角θ，根据被测晶体的大致取向（晶体被测面参考平面取向）计算或查表得到布拉格角θ。 将被测试样安放在支座上，并适当固定。 将被测面沿垂直于入射光束和反射光束的旋转进行调整，直到射线衍射强度最大为止。 记下测角仪读数 ψ1。 将试样沿被测面（基准面）法线以同一方向分别旋转90o、180o及270o，分别重复9.2~9.5步骤，依次记下测角仪读数ψ2 、ψ3和ψ4。 试验数据处理 计算并记录角度偏差分量α和β： …………………………………(8) …………………………………(9) 式中： α、β——角度偏差分量，单位为度（°）； ψ1、ψ2 、ψ3和ψ4——测角仪读数，单位为度（°）； 计算并记录总的角度偏差： …………………………………(10) 对于总角度偏差小于5°的角，式（10）可简化为式（11） ………………………………………(11) 式中： ——总角度偏差，单位为度（°）。 计算仪器偏差 δα 和 δβ ： …………………………………(12) …………………………………(13) 式中： θ——入射光束与反射平面间夹角，单位为度（o）。 θ根据结晶平面和被测材料取自附录A。 注：如果仪器误差很小，且为一常数，则可用来校正ψ1 和ψ2，使α和β在不需要最高测量精度时仅用两次测量便可确定。既然仪器误差为一常数，则δα和δβ应相同，其任何误差则由ψ1 、ψ2、ψ3和ψ4测量不准确引起。在精确测量下，δα和δβ的差异应小于0.5 。 精密度 用X射线衍射法定向法对不同半导体单晶材料不同晶面测试，每个样品在中心点重复测10次，测试结果的重复性和再现性用相对标准偏差表示，具体