半导体单晶晶向测定方法-预审.docxVIP

GB/T 1555—XXXX PAGE 7 GB/T 1555—XXXX PAGE 8 半导体单晶晶向测定方法 范围 本文件规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。 本文件适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 2481.1 固结磨具用磨料 粒度组成的检测和标记 第1部分：粗磨粒F4～F220 GB/T 2481.2 固结磨具用磨料 粒度组成的检测和标记 第2部分：微粉F230～F1200 术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 试验条件 环境温度为23 ℃?5 ℃，相对湿度20%~75%。 方法1 X射线衍射法定向法 原理 以三维周期性晶体结构排列的单晶的原子，其晶体可以看作原子排列于空间垂直距离为d的一系列平行平面所形成，当一束平行的单色X射线射入该平面上，且X射线照在相邻平面之间的光程差为其波长的整数倍即n倍时，就会产生衍射（反射）。利用计数器探测衍射线，根据其出现的位置即可确定单晶的晶向，如图1所示。当入射光束与反射平面之间夹角θ、X射线波长λ、晶面间距d及衍射级