半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法1.docxVIP

GB/T 6616—XXXX PAGE 5 GB/T 6616—XXXX PAGE 6 半导体晶片电阻率及半导体薄膜层电阻的测试 非接触涡流法 范围 本文件规定了用非接触涡流法测试硅单晶、非本征导电的砷化镓、低阻碳化硅单晶、氮化镓单晶等半导体衬底材料的电阻率或在电阻率较高的衬底上制备硅或砷化镓薄膜薄层中的方块电阻的方法。 本文件适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm～1mm的单晶片，其中可测试的单晶电阻率范围为1?10-3?·cm～1.0?103?·cm，薄膜薄层电阻测试范围为2?103?/□～3.0?103?/□。 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 25915.1 洁净室及相关受控环境 第1部分：空气洁净度等级 术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 原理 将晶片试样平插入一对共轴涡流探头（传感器）之间的固定间隙内，与振荡回路相连接的两个涡流探头之间的交变磁场在晶片上感应产生涡流，则激励电流值的变化是晶片电导的函数。通过测量激励电流的变化即可测得试样的电导。当试样厚度已知时，便可计算出试样的电阻率，见公式1。 R = E