半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法.docx

GB/T 6616—XXXX PAGE 7 GB/T 6616—XXXX PAGE 8 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 范围 本文件规定了用非接触涡流法测试硅、砷化镓、碳化硅单晶等材料的电阻率，以及在衬底上制备的薄膜薄层电阻，其衬底薄层电阻至少为薄膜的1000倍以上。本方法也适用于其它半导体材料。 本文件适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm～1mm的单晶片，其中可测试的单晶电阻率范围为0.001?·cm～200?·cm，适用于薄膜的薄层电阻测试范围为2?/□～3.0?103?/□。 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 25915.1 洁净室及相关受控环境 第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级 术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 原理 将晶片试样平插入一对共轴涡流探头（传感器）之间的固定间隙内，与振荡回路相连接的两个涡流探头之间的交变磁场在晶片上感应产生涡流，则激励电流值的变化是晶片电导的函数。通过测量激励电流的变化即可测得试样的电导。当试样厚度已知时，便可计算出试样的电阻率，见公式1。 R = EQ \F(ρ,t) = EQ \F(1,G) = EQ \F(1,δt) (1) 式中： ρ——试样的电阻率，单位为欧姆厘米（Ω·cm）； G——试样的薄层电导，单位为西门子(S)； R——试样的薄层电阻，单位为薄层电阻欧姆（Ω/□）； t——试样中心的厚度，单位为厘米（cm）； δ——电导率，单位为西门子每厘米（S/cm）。 干扰因素 如果晶片表面被沾污或表面有损伤，会造成测试结果误差。 如果测试环境的温度、湿度和光照强度的不同会影响测试结果。 如果测试设备附近有高频电源，会产生一个加载电流引起电阻率值误差，所以必须提供屏蔽保护和电源滤波装置。 涡流法必须把晶片放在有效区域内（即被整个探头覆盖）。 如果测量时间过长，涡流会在晶片上造成升温，建议测量时间小于1s。 5.6 用于测试碳化硅和砷化镓单晶时，由于大部分用硅片作为校准片和参考片，测量温度非23℃时，用硅电阻率温度系数换算存在一定的测量误差。 5.7 在测量过程中，参考片与测试片之间的温度差异会引入测量误差。 5.8 测量过程中，晶片厚度的误差可能对测量值引起误差。 5.9 测量过程中，由于测试值为有效区域电阻，对于晶片电阻率均匀性测试值存在一定误差。 试验条件 环境温度为23℃?2℃，相对湿度不大于60%，测量环境应有电磁屏蔽，电源应有滤波，环境区域至少应符合GB/T 25915.1中定义的7级洁净室要求。 仪器设备 电学测量装置 7.1.1 涡流传感器组件 由可供半导体晶片插入的具有固定间隙的一对共轴线探头、放置晶片的支架（需保证晶片与探头轴线垂直）、晶片对中装置及激励探头的高频振荡器等组成。选择一个能穿透5倍晶片或薄膜厚度能力的高频振荡器，该传感器可提供与晶片电导成正比的输出信号。涡流传感器组件的结构见图1。 图1 涡流传感器组件示意图 7.1.2 信号处理器 用模拟电路或数字电路进行电学转换，把薄层电导信号转换成薄层电阻值。当被测试样为晶片时，通过晶片的厚度再转换为电阻率。处理器应具有显示薄层电阻或电阻率的功能。当试样未插入时应具有电导清零的功能和具有用已知校准样片去校准仪器的功能。 标准片和参考片 7.2.1标准片 电阻率标准片的标称值分别为0.01Ω·cm、0.1Ω·cm、1Ω·cm、10Ω·cm、25Ω·cm、100Ω·cm、200Ω·cm。选择合适的电阻率标准片用于校准测量设备。电阻率标准片与待测片的厚度偏差应小于25%。 注：标准片是有证标准样片或可溯源的校准参考片。 7.2.2 参考片 用于检查测量仪器的线性。参考片可以是用于校准设备的标准片也可以是其它电阻率均匀的硅片，参考片电阻率的值与表1指定值之偏差应小于25%。其厚度与晶片试样的厚度偏差应小于25%。 表1 检查仪器线性的参考片的电阻率值推荐量程 测量范围/Ω·cm 参考片的电阻率/Ω·cm 0.001-0.999 0.01 0.03 0.10 0.30 0.90 0.1-99.9 0.90 3 10 30 90 7.2.3 标准片和参考片的其他要求 仪器线性检查5点法标准片和其它参考片至少应有5片，数值范围应跨越仪器的全部范围。表1给出了检查方法应用中典型仪器量程的推荐值；仪器线性检查2点法中待测试样的电阻或薄层电阻范围较窄的，标准或其它参考样品数量为2个。其值的电阻率范围至少应与待测试