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关于化学气相沉积技术 你现在学习的是第1页，课件共29页 目录 化学气相沉积技术的基本概念 Ⅰ.化学气相沉积技术的定义 Ⅱ.化学气相沉积技术的分类 Ⅲ.化学气相沉积技术的发展历程 Ⅳ.化学气相沉积技术的基本原理 化学气相沉积技术的基本理论 Ⅰ.CVD技术 Ⅱ.CVD制备材料的生长机制 Ⅲ.化学气相沉积的反应过程 CVD技术在实验室的应用 你现在学习的是第2页，课件共29页 化学气相沉积技术的基本概念 你现在学习的是第3页，课件共29页 化学气相沉积技术（CVD）是一种材料表面改性技术。是把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物、单质气体供给基体，借助气相作用或在基体表面上的化学反应在基体上制得金属或化合物薄膜的方法。它可以利用气相间的反应,在不改变基体材料成分和不消弱基体材料强度的条件下,赋予材料表面一些特殊的性能。 从气相中析出的固体的形态主要有下列几种： ⑴.在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒 ⑵.在气体中生成粒子 化学气相沉积技术的定义： 你现在学习的是第4页，课件共29页 CVD技术 低压CVD（LPCVD） 常压CVD（APCVD）） 亚常压CVD(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等离子体增强CVD(PECVD) 高密度等离子体CVD(HDPCVD 快热CVD(RTCVD) 金属有机物CVD(MOCVD 化学气相沉积技术的分类 你现在学习的是第5页，课件共29页 化学气相沉积技术的发展历程 古人类在取暖或烧烤时在岩洞壁或岩石上的黑色碳层 80年代低压CVD成膜技术成为研究热潮 近年来PECVD、LPCVD等高速发展 20世纪60-70年代用于集成电路 20世纪50年代主要用于道具涂层 你现在学习的是第6页，课件共29页 三个步骤 1.产生挥发性物质 2.将挥发性物质运到沉积区 3.挥发性物质在基体上发生 化学反应 原理：CVD是利用气态物质在固体表面进 行化学反应，生成固态沉积物的过程。 你现在学习的是第7页，课件共29页 CVD是建立在化学反应基础上的，要制备特定性能材料首先要选定一个合理的沉积反应。用于CVD技术的通常有如下所述六种反应类型。 你现在学习的是第8页，课件共29页 热分解反应 氧化还原反应 化学合成反应 化学输运反应 等离子增强反应 其他能源增强增强反应 你现在学习的是第9页，课件共29页 化学气相沉积技术的基本理论 你现在学习的是第10页，课件共29页 Ⅰ.CVD技术 CVD 技术分为开管气流法和封管气流法两种基本类型。 图1 开管系统和闭管系统的反应室示意图 你现在学习的是第11页，课件共29页 以砷化镓的外延生长为例，说明开管法的工作流程，该例子涉及的化学反应： ⒈开管气流法 特点是反应气体混合物能够连续补充,同时废弃的反应产物不断排出沉积室。 其主要由双温区开启式电阻炉及控温设备、反应管、 载气净化及载带导入系统三大部分构成。 你现在学习的是第12页，课件共29页 同时，反应器的类型多种多样，按照不同划分标准可以有不同的类型： ⑴.开管法的反应器分为三种，分别为立式、水平式、圆盘式和圆筒式. ⑵.由反应过程的要求不同，反应器可分为单温区、双温区和 多温区. 由上述分析，可以归纳出开管法的优点： ⑴.式样容易放进和取出 ⑵.同一装置可以反复多次使用 ⑶.沉积条件易于控制，结果易于重现 你现在学习的是第13页，课件共29页 ⒉封管气流法 以ZnSe为例进行说明该方法，其中涉及到的反应过程 这种反应系统是把一定量的反应物和适当的基体分别放在反应器的两端 ,管内抽真空后充入一定量的输运气体 ,然后密封 ,再将反应器置于双温区内 ,使反应管内形成一温度梯度。 你现在学习的是第14页，课件共29页 由上述分析，可以归纳出封管法的优点： ⑴. 可降低来自外界的污染 ⑵.不必连续抽气即可保持真空 ⑶.原料转化率高 封管法也有其自身的局限性，有如下几点： ⑴.材料生长速率慢,不利于大批量生产 ⑵.有时反应管只能使用一次,沉积成本较高 ⑶.管内压力测定困难,具有一定的危险性 你现在学习的是第15页，课件共29页 Ⅱ.CVD制备材料的生长机制 合成材料主要是通过气-液-固(VLS)机制和气-固(VS)机制引导的。 ⑴.VLS生长机制 在所有的气相法中，应用VLS机制制备大量单晶纳米材料和纳米结构应该说是最成功的。VLS