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电源及晶丰明源 IC 培训教程 一、输入电压、功率因数。 1、通常输入电压分为单电压输入及全电压输入。 ①单电压是指 85-132V 与 176-265V。 85-135V 电源或灯具会销往 美国、日本、台湾、加拿大、朝鲜、巴拿马、古巴、黎巴嫩、墨西哥; 等地方。 其它国家输入电压都是在 176-265V。 ②全电压是指 85-265V。2、功率因数 （PFC) ①功率因数分为 高功率因数 和 低功率因数 两种。 高功率因数指 PFC≧0.9 低功率因数指PFC 在 0.5 左右， 功率因素值越大，代表其电力利用率越高。 ②功率因数可通过功率计测出。 二、晶丰明源IC 解析。 1、晶丰明源IC 主要分为、隔离电源 IC、非隔离电源 IC、非隔离线性恒流 IC、调光IC、低压 DC—DC 。 ①隔离电源 IC 又分为 高功率因数 和 低功率因数 两种。 晶丰 BP33X 些列为高功率因数隔离 IC， BP31X BP90X 些列为低功率因数隔离 IC。 芯片型号输入电压PF 芯片型号 输入电压 PF 功率 BP9020A 176~264VAC 0.5 3W BP9021A 100~264VAC 0.5 3W BP9022A 100~264VAC 0.5 5W BP3122 100~264VAC 0.5 5W BP3123 100~264VAC 0.5 5W BP3132A 100~264VAC 0.5 5W BP3133A 100~264VAC 0.5 5-7W BP3135 100~264VAC 0.5 5-7W BP3115 100~264VAC 0.5 7-9W BP3125 100~264VAC 0.5 8-12W BP3116 100~264VAC 0.5 12-18W BP3126 100~264VAC 0.5 18-24W BP3135D 100~264VAC 0.5 8-12W BP3136D 100~264VAC 0.5 12-18W BP3137D 100~264VAC 0.5 BP3105 100~264VAC 0.5 24-50W BP3106 100~264VAC 0.5 24-50W BP3315 100~264VAC ≧0.9 5-7W BP3316D 100~264VAC ≧0.9 8-12W BP3309 100~264VAC ≧0.9 12-36W BP3319 100~264VAC ≧0.9 12-60W BP3319M 100~264VAC ≧0.9 12-60W 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；双绕组变压器；原边反馈；低成本。内置功率MOSFET；双绕组变压器；原边反馈；过认证。内置功率MOSFET；双绕组变压器；原边反馈；过认证。内置功率MOSFET；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；原边反馈；低成本内置功率MOSFET；原边反馈；低成本内置功率MOSFET；原边反馈；低成本内置功率MOSFET；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本 内置功率MOSFET；双绕组变压器；仅10个外围元件；原边反馈；低成本 原边反馈、恒流一致性好、低成本。 原边反馈、恒流一致性好、低成本。 原边反馈APFC；内置高压功率MOSFET； 温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证 原边反馈APFC；内置高压功率MOSFET； 温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证 原边反馈APFC；启动时间小于200mS；过认证 原边反馈APFC；温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证 原边反馈APFC；温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证 p ②非隔离电源IC 也分为 高功率因数 和 低功率因数 两种。 晶丰 BP23X 些列为高功率因数非隔离 IC ， BP28X BP98X 低功率因数 IC. 芯片型号 输入电压 PF 功率 驱动电源特点 15W 内置功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁； BP2831A BP9831A 176~264VAC 0.5 I≦ 110MA 单绕组电感；自带 OVP 保护；仅 10 个外围元件；符合 ERP 指令；成本可以和阻容相当 BP2832A 20W 内置功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁； BP9832A 176~264VAC 0.5 I≦ 160MA 单绕组电感； 自带 OVP 保护；仅