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一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构.pdfVIP

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  • 2023-04-15 发布于四川
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一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构.pdf

    本实用新型公开了一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构，包括磁屏蔽铁轭上板、磁屏蔽铁轭下板和磁屏蔽铁轭筒体。磁屏蔽铁轭上板和磁屏蔽铁轭下板分别连接在磁屏蔽铁轭筒体的两端，磁屏蔽铁轭筒体为多层结构。本实用新型将传统的无电工纯铁的磁控拉单晶硅磁体，或者单层的磁屏蔽结构，进行多层优化，在节约电工纯铁的基础上，以进一步降低磁体的漏磁，从而满足磁控拉单晶用超导磁体周围电气设备的安全、稳定运行。同时多层磁屏蔽结构也可以降低因单层较厚电工纯铁磁屏蔽结构，造成磁屏蔽与超导线圈之间的电磁作用力过大，诱发的磁体运行稳定性

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215680369 U (45)授权公告日 2022.01.28 (21)申请号 202122291103.6 (22)申请日 2021.09.22 (73)专利权人 西

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