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- 2023-04-15 发布于四川
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本实用新型提供一种半导体器件退饱和状态检测电路,所述半导体器件退饱和状态检测电路包括用于驱动所述半导体器件的驱动单元、第一限流电阻、第一单向导通元件、第二单向导通元件、上拉电阻、稳压单元、故障信号生成单元及控制器。本实用新型的技术方案,能够降低半导体器件进入退饱和状态的检测成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215678634 U
(45)授权公告日 2022.01.28
(21)申请号 202122255436.3
(22)申请日 2021.09.16
(73)专利权人 深圳市汇川技术股份有限公司
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