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- 2023-04-21 发布于四川
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本公开公开了一种半导体结构、制造方法及电子设备，半导体结构，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的突起结构；位于所述突起结构两侧的侧墙叠层，该侧墙叠层包括位于所述突起结构侧壁上部的第一侧墙，位于所述第一侧墙外侧的第二侧墙，其中，所述突起结构、所述第一侧墙与所述第二侧墙之间具有空气隙。本公开提供的半导体结构，在突起结构、第一侧墙与第二侧墙之间具有空气隙，能够达到较低的位线电容，使用时能确保达到较好的感应裕度，能够很好地满足实际应用的需要。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903737 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202010575082.8
(22)申请日 2020.06.22
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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