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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，包括：在衬底上形成初始伪栅结构；在初始伪栅结构两侧的衬底内形成源漏掺杂层；在源漏掺杂层上形成初始导电层，初始导电层覆盖源漏掺杂层的侧壁和顶部表面；去除初始伪栅结构。通过在形成源漏掺杂层之后，直接在源漏掺杂层上形成初始导电层，避免了先形成介质层，再对介质层进行刻蚀的制程步骤，有效减小了制程步骤，减少了制作成本和制作周期。另外，由于直接在源漏掺杂层上形成初始导电层，使得形成的初始导电层能够覆盖源漏掺杂层的侧壁和顶部表面，有效增大了初始导电层与源漏掺杂层之间的接触面积，减小

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113903665 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202010642687.4 (22)申请日 2020.07.06 (71)申请人 中芯

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