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- 2023-04-21 发布于四川
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本申请公开了一种半导体结构、制造方法及电子设备，该半导体结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的若干突起结构；位于所述突起结构两侧的侧墙叠层；所述侧墙叠层包括位于所述突起结构侧壁上的第一侧墙和位于所述第一侧墙外侧的第二侧墙；所述第二侧墙上部与所述第一侧墙上部相接；所述第二侧墙下部与所述第一侧墙下部之间具有空气隙；至少部分所述突起结构的空气隙延伸至所述半导体基底表面以下。本申请提供的半导体结构，包括半导体基底和突起结构，突起结构第二侧墙上部位于第一侧墙上部，第二侧墙下部与第一侧墙下部之间具有空
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903736 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202010575073.9
(22)申请日 2020.06.22
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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