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三极管命名方法;中国半导体器件型号命名方法;半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 ;第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、G-高频小功率管（f3MHz,Pc1W)、D -低频大功率管（f3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
;例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管;日本半导体分立器件型号命名方法;第7页/共31页;第8页/共31页;第9页/共31页;第10页/共31页;第11页/共31页;第12页/共31页;美国半导体分立器件型号命名方法;第14页/共31页;第15页/共31页;第16页/共31页;贴片电容的型号 命名方法及规则简介;第18页/共31页;第19页/共31页; 贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位的公制来表示。贴片电容系列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225、2512等。04表示长度是0.04英寸，02表示宽度0.02英寸，其他类同。 英制英寸 公制mm 长度及公差 宽度及公差 厚度及公差 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00 不同国家、厂商的命名方法不相同。
;第21页/共31页;第22页/共31页;第23页/共31页;第24页/共31页;第25页/共31页;第26页/共31页;第27页/共31页;第28页/共31页;第29页/共31页;第30页/共31页;谢谢观看！
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