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SOI的有源区的隔离方法.pdfVIP

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  • 2023-04-22 发布于北京
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SOI的有源区的隔离方法.pdf

    本发明公开了一种SOI的有源区的隔离方法，包括：步骤一、提供一SOI衬底结构，在SOI衬底的半导体顶层表面形成硬质掩膜层；步骤二、对硬质掩膜层进行图形化刻蚀形成第一开口；步骤三、进行选择性外延生长在第一开口暴露的半导体顶层表面形成第一外延层，第一外延层形成后会在第一开口的侧面处形成第一凹口；步骤四、进行氧化工艺使第一外延层全部被氧化以及使第一凹口底部的半导体顶层也被氧化并最后形成第一氧化层，在第一凹口底部第一氧化层会穿过半导体顶层；步骤五、去除硬质掩膜层和第一氧化层，在第一氧化层穿过半导体顶层的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113948443 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202111097857.6 (22)申请日 2021.09.18 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

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